CrazyGeeks Wiki - Вклад [ru]

MediaWiki:Footer-tagline

2026-02-25T12:30:13Z

Dm sem: Новая страница: «ePN»

ePN

MediaWiki:Copyright-footer

2026-02-25T12:25:41Z

Dm sem:

MediaWiki:Copyright-footer

2026-02-25T12:25:14Z

Dm sem: Новая страница: «ePN»

ePN

Учебный Набор ИУС

2024-08-10T20:50:39Z

Dm sem: Новая поставка

[[Category:IusKit| ]]
[[Category:Учебные_наборы|И]]

[[Файл:IusKit_Общ_Целиком_1_r1.jpg|thumb|300px|right|Общий вид набора. ''Не включая паяльный набор.'']]

Учебный набор, созданный для курса "Инженер Умных Систем" в [https://дпо.фркт.рф/sse МФТИ] и [https://easyembedded.ru/ EasyEmbedded].

Данная страница создана для ознакомления с комплектацией набора, для справки по комплектующим, для самостоятельной покупки отдельных составляющих.

<blockquote>
''Внешний вид компонентов может отличаться от фотоматериалов, представленных в данной статье и в данной категории.''
</blockquote>

==Краткое описание==

Набор входит в стоимость курса, предоставляется всем слушателям.
:''Отдельная покупка пока не предусмотрена, информация об этом появится позднее.''

Набор разработан командой EasyEmbedded на основании многолетнего опыта специально для модуля "Основы Электроники" курса "ИУС".

Он обеспечивает материально-техническую базу для выполнения самостоятельных практических работ по модулю. В дальнейшем может быть использован и в личных целях, на усмотрение студента.

Комплектация набора осуществляется самостоятельно компанией, без привлечения третьих лиц.

===Набор включает в себя===
*Комплект принадлежностей для пайки;
*Ручной инструмент, необходимый для начала работы;
*Блоки и преобразователи питания;
*Монтажные платы;
*Расходные элементы для электромонтажных работ;
*Ряд микросхем и электроэлементов для сборки цепей;

==Версии комплектации==

{| class="wikitable" style="margin:auto"
|-
! Поставка № !! Начало рассылки !! Список изменений
|-
| 1 || 09.01.2024 || Нет: первая версия
|-
| 2 || 10.02.2024 || '''+''' Добавлены бокорезы и плоскогубцы '''+''' Введена маркировка позиций '''~''' Заменена лампа накаливания на более мощную '''~''' Заменена монтажная плата с односторонней на двустороннюю
|-
| 3 || 12.08.2024 || Нет
|}

==Массогабаритные характеристики==

'''Масса''': 2.3-2.5 кг

'''ДхШхВ''': 30х20х20 см

Доставка осуществляется транспортными компаниями и курьерскими службами.

==Маркировка==
[[Файл:IusKit_QR_Example.png|thumb|Пример наклейки]]
Маркировка присутствует на каждом комплектующем. Это помогает сориентироваться в составе набора, сверить версию поставки, по специальному QR-коду перейти в базу знаний.

Номер поставки и номер упаковщика может быть передан и запрошен при обращении в поддержку.

<blockquote>
''Если наклейка отсутствует на позиции, это свидетельствует о том, что Вы получили набор из ранней поставки.''
</blockquote>

'''На наклейке расположены элементы:'''
*Логотип бренда;
*QR-код, указывающий на страницу комплектующего;
*Наименование комплектующего;
*Версия и дата поставки;
*Номер упаковщика;

==Состав набора==

В таблице приведён подробный состав набора.

[[Файл:IusKit_Общ_Коробка_1_r1.jpg|thumb|right|Общий вид коробки. Видны различные электроэлементы. ''Фото из поставки №1.'']]
[[Файл:IusKit_Общ_Коробка_2_r1.jpg|thumb|right|Внутреннее содержимое: Виден пакет с различными электроэлементами. ''Фото из поставки №1.'']]
[[Файл:IusKit_Общ_Коробка_3_r1.jpg|thumb|right|Внутреннее содержимое: Видны различные электроэлементы. ''Фото из поставки №1.'']]
[[Файл:IusKit_Общ_Коробка_4_r1.jpg|thumb|right|Внутреннее содержимое: Видны монтажные платы, набор конденсаторов, монтажные провода. ''Фото из поставки №1.'']]
[[Файл:IusKit_Общ_Коробка_5_r1.jpg|thumb|right|Внутреннее содержимое: Видны набор резисторов, макетные платы, монтажные перемычки, провода. ''Фото из поставки №1.'']]
{| class="wikitable sortable" style="margin:auto"
|+ Состав набора
|-
! Наименование !! Количество
|-
| [[IusKit:PowerSupply|Блок питания 12В 1А]] || 1
|-
| [[IusKit:Diode1N4007|Диод 1N4007]] || 5
|-
| [[IusKit:Diode1N5819|Диод 1N5819]] || 5
|-
| [[IusKit:Indicator|Индикатор 3611AS]] || 2
|-
| [[IusKit:Inductor330|Катушка индуктивности 330uH]] || 2
|-
| [[IusKit:Inductor680|Катушка индуктивности 680uH]] || 2
|-
| [[IusKit:Wire|Катушка монтажного провода]] || 1
|-
| [[IusKit:CerCapKit|Керамические конденсаторы 2pF-0.1uF]] || 1
|-
| [[IusKit:TerminalBlock|Клеммник KF128-5.0]] || 5
|-
| [[IusKit:LM393|Компаратор LM393]] || 2
|-
| [[IusKit:Nippers|Бокорезы]] || 1
|-
| [[IusKit:Lamp|Лампа накаливания]] || 1
|-
| [[IusKit:BreadBoard|Макетная плата 830 точек]] || 2
|-
| [[IusKit:MC34063|Микросхема DC-DC MC34063]] || 3
|-
| [[IusKit:BreadBoardSupply|Модуль питания MB102]] || 2
|-
| [[IusKit:SolderBoard|Монтажная плата 5х7 см]] || 5
|-
| [[IusKit:Mosfet|Мосфет IRFZ44N]] || 2
|-
| [[IusKit:Multimeter|Мультиметр UT39A+]] || 1
|-
| [[IusKit:CD4051T|Мультиплексор CD4051]] || 2
|-
| [[IusKit:ScrewdriverKit|Набор отвёрток]] || 1
|-
| [[IusKit:JumperKit|Набор перемычек для макетных плат]] || 1
|-
| [[IusKit:TrimmerKit|Набор подстроечных резисторов 100 Ом - 1 Мом]] || 1
|-
| [[IusKit:WireKit|Набор проводов 20 см]] || 1
|-
| [[IusKit:LedKit|Набор светодиодов 200 шт]] || 1
|-
| [[IusKit:ZenerKit|Набор стабилитронов 1/2W 3.3В - 30В]] || 1
|-
| [[IusKit:ButtonKit|Набор тактовых кнопок]] || 1
|-
| [[IusKit:SolderWick|Оплетка для выпайки 3 мм 1.5м]] || 1
|-
| [[IusKit:PC817|Оптопара PC817]] || 4
|-
| [[IusKit:LM358|ОУ LM358]] || 2
|-
| [[IusKit:SolderKit|Паяльный набор]] || 1
|-
| [[IusKit:Pliers|Плоскогубцы]] || 1
|-
| [[IusKit:SolderWire|Припой ПОС-61 с канифолю]] || 1
|-
| [[IusKit:PiezoSpeaker|Пьезодинамик 5 Вольт]] || 1
|-
| [[IusKit:JackFemale|Разъём 5.5х2.1 Female]] || 3
|-
| [[IusKit:LM317T|Регулятор LM317T]] || 2
|-
| [[IusKit:LM7805|Регулятор LM7805]] || 2
|-
| [[IusKit:ResistorKit|Резисторы 1/4W 1 Ом-1 МОм]] || 1
|-
| [[IusKit:Relay12V|Реле 12 Вольт ]] || 2
|-
| [[IusKit:Relay5V|Реле 5 Вольт ]] || 2
|-
| [[IusKit:74HC595|Сдвиговый регистр 74HC595]] || 4
|-
| [[IusKit:CD4026BE|Счётчик CD4026BE]] || 3
|-
| [[IusKit:NE555|Таймер NE555]] || 4
|-
| [[IusKit:TransistorNPN|Транзистор NPN BC337-40]] || 10
|-
| [[IusKit:TransistorPNP|Транзистор PNP BC327-40]] || 10
|-
| [[IusKit:SolderFlux|Флюс для пайки]] || 1
|-
| [[IusKit:PhotoResistor|Фоторезистор GL5528]] || 5
|-
| [[IusKit:ElecCapKit|Электролитические конденсаторы 2pF-0.1uF]] || 1
|}
<blockquote>
''Красные ссылки означают то, что статья по компоненту находится в процессе дополнения''
</blockquote>

Файл:UNI-T UT39+ Series Datasheet.pdf

2024-05-28T15:04:14Z

Dm sem: Dm sem переименовал страницу Файл:Datasheet UNI-T UT39+ Series.pdf в Файл:UNI-T UT39+ Series Datasheet.pdf без оставления перенаправления

== Краткое описание ==
Datasheet/Flyer for UNI-T UT39+ Multimeter Series

[https://meters.uni-trend.com/download/flyer-ut39a-ut39c-ut39e/ Источник]

[[Category:IusKit_Files]]

Файл:UNI-T UT39+ Series UserManual.pdf

2024-05-28T15:03:40Z

Dm sem: Dm sem переименовал страницу Файл:UserManual UNI-T UT39+ Series.pdf в Файл:UNI-T UT39+ Series UserManual.pdf без оставления перенаправления

== Краткое описание ==
User Manual for UNI-T UT39+ Multimeter Series

[https://meters.uni-trend.com/download/ut39a-c-user-manual/ Источник]

[[Category:IusKit_Files]]

Файл:UNI-T UT39+ Series UserManual.pdf

2024-05-28T15:03:20Z

Dm sem: User Manual for UNI-T UT39+ Multimeter Series [https://meters.uni-trend.com/download/ut39a-c-user-manual/ Источник] Category:IusKit_Files

== Краткое описание ==
User Manual for UNI-T UT39+ Multimeter Series

[https://meters.uni-trend.com/download/ut39a-c-user-manual/ Источник]

[[Category:IusKit_Files]]

Файл:UNI-T UT39+ Series Datasheet.pdf

2024-05-28T15:01:15Z

Dm sem: Datasheet/Flyer for UNI-T UT39+ Multimeter Series [https://meters.uni-trend.com/download/flyer-ut39a-ut39c-ut39e/ Источник] Category:IusKit_Files

== Краткое описание ==
Datasheet/Flyer for UNI-T UT39+ Multimeter Series

[https://meters.uni-trend.com/download/flyer-ut39a-ut39c-ut39e/ Источник]

[[Category:IusKit_Files]]

IusKit:Диод 1N5819

2024-05-28T12:32:00Z

Dm sem: Initial commit

[[Category:IusKit]]

[[File:DO-41_(shaded).svg|thumb|250px|right|Схематичное изображение корпуса DO-41]]

[[Файл:IusKit_Сред_Рассыпуха_голая_1_r1.jpg|thumb|250px|right|Расположение на фото: 3 ряд, 5 столбец]]

Диод Шоттки '''1N5819''' из линейки 1N581''x''. Кремниевый, с барьером Шоттки, выпрямительный общего применения.

Типичное применение:
* Низковольтные высокочастотные инверторы
* Импульсные источники питания
* DC-DC преобразователи
* Freewheeling diode / Flyback diode. [[wikipedia:en:Flyback_diode|More info]]
* Защита от обратной полярности

==Документация==

* [[File:PDF icon.svg|frameless|14px]] [[Медиа:Diodes_1n581x.pdf|Datasheet_Diodes_1n581x.pdf]]
* [[File:PDF icon.svg|frameless|14px]] [[Медиа:OnSemi_1n581x.pdf|Datasheet_OnSemi_1n581x.pdf]]
* [[File:PDF icon.svg|frameless|14px]] [[Медиа:ST_1n581x.pdf|Datasheet_ST_1n581x.pdf]]
* [[File:PDF icon.svg|frameless|14px]] [[Медиа:Vishay_1n581x.pdf|Datasheet_Vishay_1n581x.pdf]]

==Спецификация==

{| class="wikitable" style="margin:auto"
! Параметр !! Значение
|-
| Семейство || 1N581''x''
|-
| Модель || 1N5819
|-
| Корпус || DO-41 ([[Wikipedia:DO-204|DO-204AL]])
|-
| Полярность || Маркировка на катоде
|-
| Материал полупроводника || Кремний
|-
| Материал корпуса || Пластик/Эпоксидная смола ''По разным данным'' Безопасность воспламенения по [[Wikipedia:UL_94|UL 94V-0]]
|-
| Материал выводов || Лужёная медь
|}

==Предельные электрические характеристики==

<blockquote>
Указаны при температуре 25 °C, если не указано иного.
</blockquote>

{| class="wikitable" style="margin:auto"
|-
! scope="col" |
! scope="col" colspan="2" | Параметр
! scope="col" | Термин
! scope="col" | Значение
|-
| rowspan="2" style="text-align:right;" | 1
| colspan="2" | Maximum repetitive peak reverse voltage ''Максимальное повторяющееся импульсное обратное напряжение''
| style="text-align:center;" | VRRM
| rowspan="2" | 40В
|-
| colspan="2" | Working Peak Reverse Voltage ''Рабочее пиковое обратное напряжение''
| style="text-align:center;" | VRWM
|-
| style="text-align:right;" | 2
| colspan="2" | Maximum RMS voltage ''Максимальное среднеквадратическое напряжение''
| style="text-align:center;" | VR(RMS)
| 28В
|-
| style="text-align:right;" | 3
| colspan="2" | Maximum DC blocking voltage ''Максимальное постоянное обратное напряжение''
| style="text-align:center;" | VDC
| 40В
|-
| style="text-align:right;" | 4
| colspan="2" | Maximum non-repetitive peak reverse voltage ''Пиковое обратное напряжение''
| style="text-align:center;" | VRSM
| 48В
|-
| style="text-align:right;" | 5
| Maximum average forward rectified current ''Максимальный усреднённый прямой ток''
| TL = 90°C
| style="text-align:center;" | IF(AV) или IO
| 1.0А
|-
| rowspan="2" style="text-align:right;" | 6
| style="color:gray;" colspan="2" | Repetitive peak forward current ''Повторяющийся пиковый прямой ток''
| style="text-align:center; color:gray;" | IFRM
| style="color:gray;" | N/A
|-
| Repetitive peak avalanche power ''Повторяющаяся пиковая лавинная мощность''
| tp = 1 µs
| style="text-align:center;" | PARM
| 900Вт
|-
| rowspan="5" style="text-align:right;" | 7
| rowspan="5" | Non-repetitive peak forward surge current square or half sine-wave waveform superimposed on rated load ''Одиночный пиковый скачок тока прямоугольной формы или формы половины синусоиды, поверх номинального тока''
| style="color:gray;" | tp = 1 ms square
| rowspan="5" style="text-align:center;" | IFSM
| style="color:gray;" | N/A
|-
| style="color:gray;" | tp = 2 ms square
| style="color:gray;" | N/A
|-
| style="color:gray;" | tp = 5 ms square
| style="color:gray;" | N/A
|-
| tp = 8.3 ms ''60 Hz half sine-wave''
| 25А
|-
| tp = 10 ms ''50 Hz half sine-wave''
| 25А
|-
| style="text-align:right; color:gray;" | 8
| colspan="2" style="color:gray;" | Maximum full load reverse current ''Максимальный ток обратной утечки''
| style="text-align:center; color:gray;" | IR(AV)
| style="color:gray;" | N/A
|-
| rowspan="2" style="text-align:right;" | 9
| colspan="2" style="color:gray;" | Rating for fusing ''Номинал сверхтока''
| style="text-align:center; color:gray;" | I2t
| style="color:gray;" | N/A
|-
| colspan="2" | Voltage rate of change (rated VR) ''Скорость нарастания обратного напряжения''
| style="text-align:center; | dV/dt
| 10 000 В/мкс
|-
| rowspan="10" style="text-align:right;" | 10
| Ambient Temperature ''Температура окружающей среды''
| OnSemi
| style="text-align:center;" | TA
| 75 °C
|-
| rowspan="4" | Maximum Operating Junction Temperature ''Максимальная рабочая температура кристалла полупроводника''
| Diodes
| rowspan="4" style="text-align:center;" | TJ
| rowspan="3" | +125 °C
|-
| OnSemi
|-
| Vishay
|-
| ST
| +150 °C
|-
| Peak Operating Junction Temperature (Forward Current applied) ''Пиковая максимальная рабочая температура''
| OnSemi
| style="text-align:center;" | TJ(pk)
| +150 °C
|-
| rowspan="4" | Storage temperature range ''Пределы температуры хранения компонента''
| Diodes
| rowspan="4" style="text-align:center;" | TSTG
| rowspan="3" | -65 to +125 °C
|-
| OnSemi
|-
| Vishay
|-
| ST
| -65 to +150 °C
|-
|}

===Примечания к таблице===

# '''VRRM''' — наибольшее мгновенное значение напряжения, которое допускается прикладывать к диоду в обратном направлении, включая все повторяющиеся напряжения.
# '''VRMS''' — наибольшее длительное среднеквадратичное значение ''(RMS)'' напряжения переменного тока ''(VAC )'', приложенное к диоду в обратном направлении.
# '''VDC''' — наибольшее длительное напряжение постоянного тока ''(VDC )'', приложенное к диоду в обратном направлении.
# '''VRSM''' — наибольшее мгновенное значение напряжения, которое допускается ''однократно'' прикладывать к диоду в обратном направлении.
# '''IF(AV)''' или '''IO''' — максимально допустимый прямой ток, усреднённо протекающий за длительный период времени.''Примечание: указывается при температуре выводов TL и при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления''
# '''IFRM''' — значение предельно допустимых скачков прямого тока, повторяющихся при определённой частоте''Примечание: для данного семейства диода не указано'''''PARM''' — значение лавинной (пиковой ударной) мощности, которую кристалл диода может выдержать без физического разрушения. [https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/knowledge/faq/mosfet/what-is-avalanche-capability.html More info]''Примечание: приводится при указанной длительности ударного импульса, при температуре кристалла Tj = 25°C''
# '''IFSM''' — максимальное значение скачка прямого пикового тока поверх номинального тока, при указанной длине импульса прямоугольной или полу-синусообразной формы
# '''IR(AV)''' — максимальный ток обратной утечки pn-перехода, средний за весь период ''(full cycle average)''''Примечание: для данного семейства диода не указано''
# '''I2t''' — скорость нарастания тока ''(Joule-integral)'' (сверхтока), допустимая до физического разрушения компонента''Примечание: для данного семейства диода не указано'''''dV/dt''' — предельно допустимая скорость увеличения напряжения, прикладываемое к диоду в обратном направлении
# '''TA''' — максимально допустимая температура окружающей среды '''TJ''' — максимально допустимая рабочая температура кристалла полупроводника '''TJ(pk)''' — пиковая максимально допустимая рабочая температура кристалла полупроводника при прямо проходящем токе '''TS''' или '''TSTG''' — температура хранения ''(STG — Storage)'' ''Примечание: превышение данных диапазонов чаще всего приводит к физическому разрушению кристалла полупроводника''

==Электрические характеристики==

<blockquote>
Указаны при температуре 25 °C, если не указано иного. 
Для напряжения и тока значения исследованы при подаче импульса длиной 380 мкс, скважностью < 2%.
</blockquote>

{| class="wikitable" style="margin:auto"
|-
! scope="col"|
! scope="col"| Параметр
! scope="col"| Условие
! scope="col"| Термин
! scope="col"| Значение
|-
| rowspan="3" style="text-align:right;" | 1
| rowspan="3" | Maximum instantaneous forward voltage ''Максимальное падение напряжения''
| style="text-align:center;" | IF = 0.1А
| rowspan="3" style="text-align:center;" | VF или VFM
| 0.34В
|-
| style="text-align:center;" | IF = 1.0А
| 0.60В
|-
| style="text-align:center;" | IF = 3.0А
| 0.90В
|-
| rowspan="2" style="text-align:right;" | 2
| rowspan="2" | Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage ''Максимальный ток утечки при максимальном обратном напряжении''
| style="text-align:center;" | TA = 25 °C
| rowspan="2" style="text-align:center;" | IR
| 1.0мА
|-
| style="text-align:center;" | TA = 125 °C
| 10мА
|-
| style="text-align:right;" | 3
| Typical junction capacitance ''Типичная ёмкость перехода''
| style="text-align:center;" | 4.0 V, 1 MHz
| style="text-align:center;" | CJ
| 110пФ
|}

===Примечания к таблице===

# '''VF''' или '''VFM''' — Максимальное падение напряжения на pn-переходе. [https://forum.allaboutcircuits.com/threads/instantaneous-forward-voltage.6314/ More info]''Влияет на нагрев, так как всё падение напряжения уходит в тепловые потери''
# '''IR''' — Максимальный постоянный ток ''(IDC )'' обратной утечки pn-перехода, при максимальном постоянно обратном напряжении ''(VDC )''
# '''CJ''' — Типичная ёмкость pn-перехода''Влияет на максимальную частоту, которую может пропустить диод. [https://studfile.net/preview/16468927/ More info]''

==Тепловые характеристики==

<blockquote>
''Справедливо при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления
</blockquote>

{| class="wikitable" style="margin:auto"
|-
! scope="col"| Параметр
! scope="col"| Вендор
! scope="col"| Термин
! scope="col"| Значение
|-
| rowspan="8" | Typical thermal resistance ''Типичное термическое сопротивление''
| rowspan="2" | Diodes
| style="text-align:center;" | RθJA
| 50°C/Вт
|-
| style="text-align:center;" | RθJL
| 15°C/Вт
|-
| rowspan="2" | OnSemi
| style="text-align:center;" | RθJA
| 80°C/Вт
|-
| style="text-align:center; color:gray;" | RθJL
| style="color:gray;" | N/A
|-
| rowspan="2" | Vishay
| style="text-align:center;" | RθJA
| 50°C/Вт
|-
| style="text-align:center;" | RθJL
| 15°C/Вт
|-
| rowspan="2" | ST
| style="text-align:center;" | RthJ
| 100°C/Вт
|-
| style="text-align:center;" | RthL
| 45°C/Вт
|-
|}

===Примечания к таблице===
# '''RθJA''' или '''RthA''' — Типичное термическое сопротивление корпуса к окружающей среде
# '''RθJL''' или '''RthL''' — Типичное термическое сопротивление выводов к окружающей среде

Выдержка из [[wikipedia:ru:Термическое_сопротивление|оригинальной статьи]]:
<blockquote>
'''Термическое сопротивление''' — тепловое сопротивление, способность тела (его поверхности или какого-либо слоя) препятствовать распространению теплового движения молекул.
</blockquote>

Термическое/тепловое сопротивление определяет падение температуры на пути прохождения теплового потока.

Значение теплового сопротивления — разность температур горячей и холодной поверхности теплопроводящего материала к проходящему по нему тепловому потоку.

Применительно к электронике, тепловое сопротивление по своей сути является величиной, показывающей '''нагрев компонента в зависимости от выделяемой им мощности'''.

IusKit:Диод 1N4007

2024-05-28T12:26:13Z

Dm sem: опечатка

[[Category:IusKit]]

[[File:DO-41_(shaded).svg|thumb|250px|right|Схематичное изображение корпуса DO-41]]

[[Файл:IusKit_Сред_Рассыпуха_голая_1_r1.jpg|thumb|250px|right|Расположение на фото: 3 ряд, 5 столбец]]

Диод '''1N4007''' из линейки 1N400''x''. Кремниевый, выпрямительный общего применения.

Типичное применение:
* Выпрямители напряжения
* Диодные мосты
* Блоки питания
* Защита от обратной полярности

==Документация==

* [[File:PDF icon.svg|frameless|14px]] [[Медиа:Diotec_1n400x.pdf|Datasheet_Diotec_1n400x.pdf]]
* [[File:PDF icon.svg|frameless|14px]] [[Медиа:Vishay_1n400x.pdf|Datasheet_Vishay_1n400x.pdf]]

==Спецификация==

{| class="wikitable" style="margin:auto"
! Параметр !! Значение
|-
| Семейство || 1N400''x''
|-
| Модель || 1N4007
|-
| Корпус || DO-41 ([[Wikipedia:DO-204|DO-204AL]])
|-
| Полярность || Маркировка на катоде
|-
| Материал полупроводника || Кремний
|-
| Материал корпуса || Пластик/Эпоксидная смола ''По разным данным'' Безопасность воспламенения по [[Wikipedia:UL_94|UL 94V-0]]
|-
| Материал выводов || Лужёная медь
|}

==Предельные электрические характеристики==

<blockquote>
Указаны при температуре 25 °C, если не указано иного.
</blockquote>

{| class="wikitable" style="margin:auto"
|-
! scope="col" |
! scope="col" colspan="2" | Параметр
! scope="col" | Термин
! scope="col" | Значение
|-
| style="text-align:right;" | 1
| colspan="2" | Maximum repetitive peak reverse voltage ''Максимальное повторяющееся импульсное обратное напряжение''
| style="text-align:center;" | VRRM
| 1000В
|-
| style="text-align:right;" | 2
| colspan="2" | Maximum RMS voltage ''Максимальное среднеквадратическое напряжение''
| style="text-align:center;" | VRMS
| 700В
|-
| style="text-align:right;" | 3
| colspan="2" | Maximum DC blocking voltage ''Максимальное постоянное обратное напряжение''
| style="text-align:center;" | VDC
| 1000В
|-
| style="text-align:right;" | 4
| colspan="2" | Surge peak reverse voltage ''Пиковое обратное напряжение''
| style="text-align:center;" | VRSM
| 1000В
|-
| rowspan="2" style="text-align:right;" | 5
| rowspan="2" | Maximum average forward rectified current ''Максимальный усреднённый прямой ток''
| TA = 75°C
| rowspan="2" style="text-align:center;" | IF(AV) или IFAV
| 1.0А
|-
| TA = 100°C
| 0.8А
|-
| style="text-align:right;" | 6
| Repetitive peak forward current ''Повторяющийся пиковый прямой ток''
| f > 15 Hz, TA = 75°C
| style="text-align:center;" | IFRM
| 30А
|-
| rowspan="5" style="text-align:right;" | 7
| rowspan="5" | Non-repetitive peak forward surge current square or half sine-wave waveform superimposed on rated load ''Одиночный пиковый скачок тока прямоугольной формы или формы половины синусоиды, поверх номинального тока''
| tp = 1 ms square
| rowspan="5" style="text-align:center;" | IFSM
| 45А
|-
| tp = 2 ms square
| 35А
|-
| tp = 5 ms square
| 30А
|-
| tp = 8.3 ms ''60 Hz half sine-wave''
| 30А
|-
| tp = 10 ms ''50 Hz half sine-wave''
| 27А
|-
| style="text-align:right;" | 8
| Maximum full load reverse current ''Максимальный ток обратной утечки''
| TL = 75°C
| style="text-align:center;" | IR(AV)
| 30мкА
|-
| rowspan="2" style="text-align:right;" | 9
| rowspan="2" | Rating for fusing ''Номинал сверхтока''
| t < 8.3 ms ''60 Hz half sine-wave''
| rowspan="2" style="text-align:center;" | I2t
| 3.7А2с
|-
| t < 10 ms ''50 Hz half sine-wave''
| 3.6А2с
|-
| rowspan="2" style="text-align:right;" | 10
| rowspan="2" | Operating junction and storage temperature range ''Пределы температуры хранения и температуры кристалла полупроводника''
| colspan="2" style="text-align:center;" | ''Vishay:'' TJ, TSTG
| -50 to +150 °C
|-
| colspan="2" style="text-align:center;" | ''Diotec:'' TJ, TS
| -50 to +175 °C
|}

===Примечания к таблице===

# '''VRRM''' — наибольшее мгновенное значение напряжения, которое допускается прикладывать к диоду в обратном направлении, включая все повторяющиеся напряжения.
# '''VRMS''' — наибольшее длительное среднеквадратичное значение ''(RMS)'' напряжения переменного тока ''(VAC )'', приложенное к диоду в обратном направлении.
# '''VDC''' — наибольшее длительное напряжение постоянного тока ''(VDC )'', приложенное к диоду в обратном направлении.
# '''VRSM''' — наибольшее мгновенное значение напряжения, которое допускается ''однократно'' прикладывать к диоду в обратном направлении.
# '''IF(AV)''' или '''IFAV''' — максимально допустимый прямой ток, усреднённо протекающий за длительный период времени.''Примечание: указывается при температуре корпуса/окружающей среды TA и при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления''
# '''IFRM''' — значение предельно допустимых скачков прямого тока, повторяющихся при определённой частоте''Примечание: указывается при температуре корпуса/окружающей среды TA и при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления''
# '''IFSM''' — максимальное значение скачка прямого пикового тока поверх номинального тока, при указанной длине импульса прямоугольной или полу-синусообразной формы
# '''IR(AV)''' — максимальный ток обратной утечки pn-перехода, средний за весь период ''(full cycle average)''''Примечание: указывается при температуре выводов TL и при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления''
# '''I2t''' — скорость нарастания тока ''(Joule-integral)'' (сверхтока), допустимая до физического разрушения компонента. Сверхток определяется за один период полуволны. Указывается для применения в выпрямителях и мостах.
# '''TS''' или '''TSTG''' — температура хранения ''(STG — Storage)'' '''TJ''' — температура кристалла полупроводника''Примечание: превышение данных диапазонов чаще всего приводит к физическому разрушению кристалла полупроводника''

==Электрические характеристики==

<blockquote>
Указаны при температуре 25 °C, если не указано иного.
</blockquote>

{| class="wikitable" style="margin:auto"
|-
! scope="col"|
! scope="col"| Параметр
! scope="col"| Условие
! scope="col"| Термин
! scope="col"| Значение
|-
| style="text-align:right;" | 1
| Maximum instantaneous forward voltage ''Максимальное падение напряжения''
| style="text-align:center;" | 1.0А
| style="text-align:center;" | VF
| 1.1В
|-
| rowspan="2" style="text-align:right;" | 2
| rowspan="2" | Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage ''Максимальный ток утечки при максимальном обратном напряжении''
| style="text-align:center;" | TA = 25 °C
| rowspan="2" style="text-align:center;" | IR
| 5.0мкА
|-
| style="text-align:center;" | TA = 125 °C
| 50мкА
|-
| style="text-align:right;" | 3
| Typical junction capacitance ''Типичная ёмкость перехода''
| style="text-align:center;" | 4.0 V, 1 MHz
| style="text-align:center;" | CJ
| 15пФ
|}

===Примечания к таблице===

# '''VF''' — Максимальное падение напряжения на pn-переходе. [https://forum.allaboutcircuits.com/threads/instantaneous-forward-voltage.6314/ More info]''Влияет на нагрев, так как всё падение напряжения уходит в тепловые потери''
# '''IR''' — Максимальный постоянный ток ''(IDC )'' обратной утечки pn-перехода, при максимальном постоянно обратном напряжении ''(VDC )''
# '''CJ''' — Типичная ёмкость pn-перехода''Влияет на максимальную частоту, которую может пропустить диод. [https://studfile.net/preview/16468927/ More info]''

==Тепловые характеристики==

<blockquote>
''Справедливо при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления
</blockquote>

{| class="wikitable" style="margin:auto"
|+ По данным Vishay
|-
! scope="col"| Параметр
! scope="col"| Термин
! scope="col"| Значение
|-
| rowspan="2" | Typical thermal resistance ''Типичное термическое сопротивление''
| style="text-align:center;" | RθJA
| 50°C/Вт
|-
| style="text-align:center;" | RθJL
| 25°C/Вт
|}
 
{| class="wikitable" style="margin:auto"
|+ По данным Diotec
|-
! scope="col"| Параметр
! scope="col"| Термин
! scope="col"| Значение
|-
| rowspan="2" | Typical thermal resistance ''Типичное термическое сопротивление''
| style="text-align:center;" | RthA
| 45К/Вт
|-
| style="text-align:center;" | RthL
| 15К/Вт
|}

===Примечания к таблице===
# '''RθJA''' или '''RthA''' — Типичное термическое сопротивление корпуса к окружающей среде
# '''RθJL''' или '''RthL''' — Типичное термическое сопротивление выводов к окружающей среде

Выдержка из [[wikipedia:ru:Термическое_сопротивление|оригинальной статьи]]:
<blockquote>
'''Термическое сопротивление''' — тепловое сопротивление, способность тела (его поверхности или какого-либо слоя) препятствовать распространению теплового движения молекул.
</blockquote>

Термическое/тепловое сопротивление определяет падение температуры на пути прохождения теплового потока.

Значение теплового сопротивления — разность температур горячей и холодной поверхности теплопроводящего материала к проходящему по нему тепловому потоку.

Применительно к электронике, тепловое сопротивление по своей сути является величиной, показывающей '''нагрев компонента в зависимости от выделяемой им мощности'''.

IusKit:Диод 1N4007

2024-05-28T10:52:06Z

Dm sem: Правка таблицы

[[Category:IusKit]]

[[File:DO-41_(shaded).svg|thumb|250px|right|Схематичное изображение корпуса DO-41]]

[[Файл:IusKit_Сред_Рассыпуха_голая_1_r1.jpg|thumb|250px|right|Расположение на фото: 3 ряд, 5 столбец]]

Диод '''1N4007''' из линейки 1N400''x''. Кремниевый, выпрямительный общего применения.

Типичное применение:
* Выпрямители напряжения
* Диодные мосты
* Блоки питания
* Защита от обратной полярности

==Документация==

* [[File:PDF icon.svg|frameless|14px]] [[Медиа:Diotec_1n400x.pdf|Datasheet_Diotec_1n400x.pdf]]
* [[File:PDF icon.svg|frameless|14px]] [[Медиа:Vishay_1n400x.pdf|Datasheet_Vishay_1n400x.pdf]]

==Спецификация==

{| class="wikitable" style="margin:auto"
! Параметр !! Значение
|-
| Семейство || 1N400''x''
|-
| Модель || 1N4007
|-
| Корпус || DO-41 ([[Wikipedia:DO-204|DO-204AL]])
|-
| Полярность || Маркировка на катоде
|-
| Материал полупроводника || Кремний
|-
| Материал корпуса || Пластик/Эпоксидная смола ''По разным данным'' Безопасность воспламенения по [[Wikipedia:UL_94|UL 94V-0]]
|-
| Материал выводов || Лужёная медь
|}

==Предельные электрические характеристики==

<blockquote>
Указаны при температуре 25 °C, если не указано иного.
</blockquote>

{| class="wikitable" style="margin:auto"
|-
! scope="col" |
! scope="col" colspan="2" | Параметр
! scope="col" | Термин
! scope="col" | Значение
|-
| style="text-align:right;" | 1
| colspan="2" | Maximum repetitive peak reverse voltage ''Максимальное повторяющееся импульсное обратное напряжение''
| style="text-align:center;" | VRRM
| 1000В
|-
| style="text-align:right;" | 2
| colspan="2" | Maximum RMS voltage ''Максимальное среднеквадратическое напряжение''
| style="text-align:center;" | VRMS
| 700В
|-
| style="text-align:right;" | 3
| colspan="2" | Maximum DC blocking voltage ''Максимальное постоянное обратное напряжение''
| style="text-align:center;" | VDC
| 1000В
|-
| style="text-align:right;" | 4
| colspan="2" | Surge peak reverse voltage ''Пиковое обратное напряжение''
| style="text-align:center;" | VRSM
| 1000В
|-
| rowspan="2" style="text-align:right;" | 5
| rowspan="2" | Maximum average forward rectified current ''Максимальный усреднённый прямой ток''
| TA = 75°C
| rowspan="2" style="text-align:center;" | IF(AV) или IFAV
| 1.0А
|-
| TA = 100°C
| 0.8А
|-
| style="text-align:right;" | 6
| Repetitive peak forward current ''Повторяющийся пиковый прямой ток''
| f > 15 Hz, TA = 75°C
| style="text-align:center;" | IFRM
| 30А
|-
| rowspan="5" style="text-align:right;" | 7
| rowspan="5" | Non-repetitive peak forward surge current square or half sine-wave waveform superimposed on rated load ''Одиночный пиковый скачок тока прямоугольной формы или формы половины синусоиды, поверх номинального тока''
| tp = 1 ms square
| rowspan="5" style="text-align:center;" | IFSM
| 45А
|-
| tp = 2 ms square
| 35А
|-
| tp = 5 ms square
| 30А
|-
| tp = 8.3 ms ''60 Hz half sine-wave''
| 30А
|-
| tp = 10 ms ''50 Hz half sine-wave''
| 27А
|-
| style="text-align:right;" | 8
| Maximum full load reverse current ''Максимальный ток обратной утечки''
| TL = 75°C
| style="text-align:center;" | IR(AV)
| 30мкА
|-
| rowspan="2" style="text-align:right;" | 9
| rowspan="2" | Rating for fusing ''Номинал сверхтока''
| t < 8.3 ms ''60 Hz half sine-wave''
| rowspan="2" style="text-align:center;" | I2t
| 3.7А2с
|-
| t < 10 ms ''50 Hz half sine-wave''
| 3.6А2с
|-
| rowspan="2" style="text-align:right;" | 10
| rowspan="2" | Operating junction and storage temperature range ''Пределы температуры хранения и температуры кристалла полупроводника''
| colspan="2" style="text-align:center;" | ''Vishay:'' TJ, TSTG
| -50 to +150 °C
|-
| colspan="2" style="text-align:center;" | ''Diotec:'' TJ, TS
| -50 to +175 °C
|}

===Примечания к таблице===

# '''VRRM''' — наибольшее мгновенное значение напряжения, которое допускается прикладывать к диоду в обратном направлении, включая все повторяющиеся напряжения.
# '''VRMS''' — наибольшее длительное среднеквадратичное значение ''(RMS)'' напряжения переменного тока ''(VAC )'', приложенное к диоду в обратном направлении.
# '''VDC''' — наибольшее длительное напряжение постоянного тока ''(VDC )'', приложенное к диоду в обратном направлении.
# '''VRSM''' — наибольшее мгновенное значение напряжения, которое допускается ''однократно'' прикладывать к диоду в обратном направлении.
# '''IF(AV)''' или '''IFAV''' — максимально допустимый прямой ток, усреднённо протекающий за длительный период времени.''Примечание: указывается при температуре корпуса/окружающей среды TA и при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления''
# '''IFRM''' — значение предельно допустимых скачков прямого тока, повторяющихся при определённой частоте''Примечание: указывается при температуре корпуса/окружающей среды TA и при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления''
# '''IFSM''' — максимальное значение скачка прямого пикового тока поверх номинального тока, при указанной длине импульса прямоугольной или полу-синусообразной формы
# '''IR(AV)''' — максимальный ток обратной утечки pn-перехода, средний за весь период ''(full cycle average)''''Примечание: указывается при температуре выводов TL и при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления''
# '''I2t''' — скорость нарастания тока ''(Joule-integral)'' (сверхтока), допустимая до физического разрушения компонента. Сверхток определяется за один период полуволны. Указывается для применения в выпрямителях и мостах.
# '''TS''' или '''TSTG''' — температура хранения ''(STG — Storage)'' '''TJ''' — температура кристалла полупроводника''Примечание: превышение данных диапазонов чаще всего приводит к физическому разрушению кристалла полупроводника''

==Электрические характеристики==

<blockquote>
Указаны при температуре 25 °C, если не указано иного.
</blockquote>

{| class="wikitable" style="margin:auto"
|-
! scope="col"|
! scope="col"| Параметр
! scope="col"| Условие
! scope="col"| Термин
! scope="col"| Значение
|-
| style="text-align:right;" | 1
| Maximum instantaneous forward voltage ''Максимальное падение напряжения''
| style="text-align:center;" | 1.0А
| style="text-align:center;" | VF
| 1.1В
|-
| rowspan="2" style="text-align:right;" | 2
| rowspan="2" | Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage ''Максимальный ток утечки при максимальном обратном напряжении''
| style="text-align:center;" | TA = 25 °C
| rowspan="2" style="text-align:center;" | IR
| 5.0мкА
|-
| style="text-align:center;" | TA = 125 °C
| 50мкА
|-
| style="text-align:right;" | 3
| Typical junction capacitance ''Типичная ёмкость перехода''
| style="text-align:center;" | 4.0 V, 1 MHz
| style="text-align:center;" | CJ
| 15пФ
|}

===Примечания к таблице===

# '''VF''' — Максимальное падение напряжения на pn-переходе. [https://forum.allaboutcircuits.com/threads/instantaneous-forward-voltage.6314/ More info]''Влияет на нагрев, так как всё падение напряжения уходит в тепловые потери''
# '''IR''' — Максимальный постоянный ток ''(IDC )'' обратной утечки pn-перехода, при максимальном постоянно обратном напряжении ''(VDC )''
# '''CJ''' — Типичная ёмкость pn-перехода''Влияет на максимальную частоту, которую может пропустить диод. [https://studfile.net/preview/16468927/ More info]''

==Тепловые характеристики==

<blockquote>
''Справедливо при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления'
</blockquote>

{| class="wikitable" style="margin:auto"
|+ По данным Vishay
|-
! scope="col"| Параметр
! scope="col"| Термин
! scope="col"| Значение
|-
| rowspan="2" | Typical thermal resistance ''Типичное термическое сопротивление''
| style="text-align:center;" | RθJA
| 50°C/Вт
|-
| style="text-align:center;" | RθJL
| 25°C/Вт
|}
 
{| class="wikitable" style="margin:auto"
|+ По данным Diotec
|-
! scope="col"| Параметр
! scope="col"| Термин
! scope="col"| Значение
|-
| rowspan="2" | Typical thermal resistance ''Типичное термическое сопротивление''
| style="text-align:center;" | RthA
| 45К/Вт
|-
| style="text-align:center;" | RthL
| 15К/Вт
|}

===Примечания к таблице===
# '''RθJA''' или '''RthA''' — Типичное термическое сопротивление корпуса к окружающей среде
# '''RθJL''' или '''RthL''' — Типичное термическое сопротивление выводов к окружающей среде

Выдержка из [[wikipedia:ru:Термическое_сопротивление|оригинальной статьи]]:
<blockquote>
'''Термическое сопротивление''' — тепловое сопротивление, способность тела (его поверхности или какого-либо слоя) препятствовать распространению теплового движения молекул.
</blockquote>

Термическое/тепловое сопротивление определяет падение температуры на пути прохождения теплового потока.

Значение теплового сопротивления — разность температур горячей и холодной поверхности теплопроводящего материала к проходящему по нему тепловому потоку.

Применительно к электронике, тепловое сопротивление по своей сути является величиной, показывающей '''нагрев компонента в зависимости от выделяемой им мощности'''.

IusKit:Диод 1N4007

2024-05-28T10:46:19Z

Dm sem: Поправка, добавление значений

[[Category:IusKit]]

[[File:DO-41_(shaded).svg|thumb|250px|right|Схематичное изображение корпуса DO-41]]

[[Файл:IusKit_Сред_Рассыпуха_голая_1_r1.jpg|thumb|250px|right|Расположение на фото: 3 ряд, 5 столбец]]

Диод '''1N4007''' из линейки 1N400''x''. Кремниевый, выпрямительный общего применения.

Типичное применение:
* Выпрямители напряжения
* Диодные мосты
* Блоки питания
* Защита от обратной полярности

==Документация==

* [[File:PDF icon.svg|frameless|14px]] [[Медиа:Diotec_1n400x.pdf|Datasheet_Diotec_1n400x.pdf]]
* [[File:PDF icon.svg|frameless|14px]] [[Медиа:Vishay_1n400x.pdf|Datasheet_Vishay_1n400x.pdf]]

==Спецификация==

{| class="wikitable" style="margin:auto"
! Параметр !! Значение
|-
| Семейство || 1N400''x''
|-
| Модель || 1N4007
|-
| Корпус || DO-41 ([[Wikipedia:DO-204|DO-204AL]])
|-
| Полярность || Маркировка на катоде
|-
| Материал полупроводника || Кремний
|-
| Материал корпуса || Пластик/Эпоксидная смола ''По разным данным'' Безопасность воспламенения по [[Wikipedia:UL_94|UL 94V-0]]
|-
| Материал выводов || Лужёная медь
|}

==Предельные электрические характеристики==

<blockquote>
Указаны при температуре 25 °C, если не указано иного.
</blockquote>

{| class="wikitable" style="margin:auto"
|-
! scope="col" |
! scope="col" colspan="2" | Параметр
! scope="col" | Термин
! scope="col" | Значение
|-
| rowspan="2" style="text-align:right;" | 1
| colspan="2" | Maximum repetitive peak reverse voltage ''Максимальное повторяющееся импульсное обратное напряжение''
| style="text-align:center;" | VRRM
| 1000В
|-
| colspan="2" | Surge peak reverse voltage ''Пиковое обратное напряжение''
| style="text-align:center;" | VRSM
| 1000В
|-
| style="text-align:right;" | 2
| colspan="2" | Maximum RMS voltage ''Максимальное среднеквадратическое напряжение''
| style="text-align:center;" | VRMS
| 700В
|-
| style="text-align:right;" | 3
| colspan="2" | Maximum DC blocking voltage ''Максимальное постоянное обратное напряжение''
| style="text-align:center;" | VDC
| 1000В
|-
| rowspan="2" style="text-align:right;" | 4
| rowspan="2" | Maximum average forward rectified current ''Максимальный усреднённый прямой ток''
| TA = 75°C
| rowspan="2" style="text-align:center;" | IF(AV) или IFAV
| 1.0А
|-
| TA = 100°C
| 0.8А
|-
| style="text-align:right;" | 5
| Repetitive peak forward current ''Повторяющийся пиковый прямой ток''
| f > 15 Hz, TA = 75°C
| style="text-align:center;" | IFRM
| 30А
|-
| rowspan="5" style="text-align:right;" | 6
| rowspan="5" | Non-repetitive peak forward surge current square or half sine-wave waveform superimposed on rated load ''Одиночный пиковый скачок тока прямоугольной формы или формы половины синусоиды, поверх номинального тока''
| tp = 1 ms square
| rowspan="5" style="text-align:center;" | IFSM
| 45А
|-
| tp = 2 ms square
| 35А
|-
| tp = 5 ms square
| 30А
|-
| tp = 8.3 ms ''60 Hz half sine-wave''
| 30А
|-
| tp = 10 ms ''50 Hz half sine-wave''
| 27А
|-
| style="text-align:right;" | 7
| Maximum full load reverse current ''Максимальный ток обратной утечки''
| TL = 75°C
| style="text-align:center;" | IR(AV)
| 30мкА
|-
| rowspan="2" style="text-align:right;" | 8
| rowspan="2" | Rating for fusing ''Номинал сверхтока''
| t < 8.3 ms ''60 Hz half sine-wave''
| rowspan="2" style="text-align:center;" | I2t
| 3.7А2с
|-
| t < 10 ms ''50 Hz half sine-wave''
| 3.6А2с
|-
| rowspan="2" style="text-align:right;" | 9
| rowspan="2" | Operating junction and storage temperature range ''Пределы температуры хранения и температуры кристалла полупроводника''
| colspan="2" style="text-align:center;" | ''Vishay:'' TJ, TSTG
| -50 to +150 °C
|-
| colspan="2" style="text-align:center;" | ''Diotec:'' TJ, TS
| -50 to +175 °C
|}

===Примечания к таблице===

# '''VRRM''', '''VRSM''' — наибольшее мгновенное значение напряжения, которое допускается прикладывать к диоду в обратном направлении, включая все повторяющиеся напряжения.
# '''VRMS''' — наибольшее длительное среднеквадратичное значение ''(RMS)'' напряжения переменного тока ''(VAC )'', приложенное к диоду в обратном направлении.
# '''VDC''' — наибольшее длительное напряжение постоянного тока ''(VDC )'', приложенное к диоду в обратном направлении.
# '''IF(AV)''' или '''IFAV''' — максимально допустимый прямой ток, усреднённо протекающий за длительный период времени.''Примечание: указывается при температуре корпуса/окружающей среды TA и при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления''
# '''IFRM''' — значение предельно допустимых скачков прямого тока, повторяющихся при определённой частоте''Примечание: указывается при температуре корпуса/окружающей среды TA и при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления''
# '''IFSM''' — максимальное значение скачка прямого пикового тока поверх номинального тока, при указанной длине импульса прямоугольной или полу-синусообразной формы
# '''IR(AV)''' — максимальный ток обратной утечки pn-перехода, средний за весь период ''(full cycle average)''''Примечание: указывается при температуре выводов TL и при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления''
# '''I2t''' — скорость нарастания тока ''(Joule-integral)'' (сверхтока), допустимая до физического разрушения компонента. Сверхток определяется за один период полуволны. Указывается для применения в выпрямителях и мостах.
# '''TS''' или '''TSTG''' — температура хранения ''(STG — Storage)'' '''TJ''' — температура кристалла полупроводника''Примечание: превышение данных диапазонов чаще всего приводит к физическому разрушению кристалла полупроводника''

==Электрические характеристики==

<blockquote>
Указаны при температуре 25 °C, если не указано иного.
</blockquote>

{| class="wikitable" style="margin:auto"
|-
! scope="col"|
! scope="col"| Параметр
! scope="col"| Условие
! scope="col"| Термин
! scope="col"| Значение
|-
| style="text-align:right;" | 1
| Maximum instantaneous forward voltage ''Максимальное падение напряжения''
| style="text-align:center;" | 1.0А
| style="text-align:center;" | VF
| 1.1В
|-
| rowspan="2" style="text-align:right;" | 2
| rowspan="2" | Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage ''Максимальный ток утечки при максимальном обратном напряжении''
| style="text-align:center;" | TA = 25 °C
| rowspan="2" style="text-align:center;" | IR
| 5.0мкА
|-
| style="text-align:center;" | TA = 125 °C
| 50мкА
|-
| style="text-align:right;" | 3
| Typical junction capacitance ''Типичная ёмкость перехода''
| style="text-align:center;" | 4.0 V, 1 MHz
| style="text-align:center;" | CJ
| 15пФ
|}

===Примечания к таблице===

# '''VF''' — Максимальное падение напряжения на pn-переходе. [https://forum.allaboutcircuits.com/threads/instantaneous-forward-voltage.6314/ More info]''Влияет на нагрев, так как всё падение напряжения уходит в тепловые потери''
# '''IR''' — Максимальный постоянный ток ''(IDC )'' обратной утечки pn-перехода, при максимальном постоянно обратном напряжении ''(VDC )''
# '''CJ''' — Типичная ёмкость pn-перехода''Влияет на максимальную частоту, которую может пропустить диод. [https://studfile.net/preview/16468927/ More info]''

==Тепловые характеристики==

<blockquote>
''Справедливо при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления'
</blockquote>

{| class="wikitable" style="margin:auto"
|+ По данным Vishay
|-
! scope="col"| Параметр
! scope="col"| Термин
! scope="col"| Значение
|-
| rowspan="2" | Typical thermal resistance ''Типичное термическое сопротивление''
| style="text-align:center;" | RθJA
| 50°C/Вт
|-
| style="text-align:center;" | RθJL
| 25°C/Вт
|}
 
{| class="wikitable" style="margin:auto"
|+ По данным Diotec
|-
! scope="col"| Параметр
! scope="col"| Термин
! scope="col"| Значение
|-
| rowspan="2" | Typical thermal resistance ''Типичное термическое сопротивление''
| style="text-align:center;" | RthA
| 45К/Вт
|-
| style="text-align:center;" | RthL
| 15К/Вт
|}

===Примечания к таблице===
# '''RθJA''' или '''RthA''' — Типичное термическое сопротивление корпуса к окружающей среде
# '''RθJL''' или '''RthL''' — Типичное термическое сопротивление выводов к окружающей среде

Выдержка из [[wikipedia:ru:Термическое_сопротивление|оригинальной статьи]]:
<blockquote>
'''Термическое сопротивление''' — тепловое сопротивление, способность тела (его поверхности или какого-либо слоя) препятствовать распространению теплового движения молекул.
</blockquote>

Термическое/тепловое сопротивление определяет падение температуры на пути прохождения теплового потока.

Значение теплового сопротивления — разность температур горячей и холодной поверхности теплопроводящего материала к проходящему по нему тепловому потоку.

Применительно к электронике, тепловое сопротивление по своей сути является величиной, показывающей '''нагрев компонента в зависимости от выделяемой им мощности'''.

Файл:Vishay 1n581x.pdf

2024-05-24T13:13:48Z

Dm sem: Dm sem переименовал страницу Файл:Vishay 1n5819.pdf в Файл:Vishay 1n581x.pdf без оставления перенаправления

== Краткое описание ==
Vishay datasheet for 1N581x diode series

[https://www.vishay.com/docs/88525/1n5817.pdf Источник]

[[Category:IusKit_Files]]

Файл:ST 1n581x.pdf

2024-05-24T13:13:22Z

Dm sem: Dm sem переименовал страницу Файл:ST 1n5819.pdf в Файл:ST 1n581x.pdf без оставления перенаправления

== Краткое описание ==
ST datasheet for 1N581x diode series

[https://www.st.com/resource/en/datasheet/1n5819.pdf Источник]

[[Category:IusKit_Files]]

Файл:OnSemi 1n581x.pdf

2024-05-24T13:12:52Z

Dm sem: Dm sem переименовал страницу Файл:OnSemi 1n5819.PDF в Файл:OnSemi 1n581x.pdf без оставления перенаправления

== Краткое описание ==
OnSemi datasheet for 1N581x diode series

[https://www.onsemi.com/download/data-sheet/pdf/1n5817-d.pdf Источник]

[[Category:IusKit_Files]]

Файл:Diodes 1n581x.pdf

2024-05-24T13:12:00Z

Dm sem: Dm sem переименовал страницу Файл:Diodes 1n5819.pdf в Файл:Diodes 1n581x.pdf без оставления перенаправления

== Краткое описание ==
Diodes datasheet for 1N581x diode series

[https://www.diodes.com/assets/Datasheets/1N5817-1N5819.pdf Источник]

[[Category:IusKit_Files]]

IusKit:Диод 1N4007

2024-05-24T13:03:50Z

Dm sem: Дополнение спецификации

[[Category:IusKit]]

[[File:DO-41_(shaded).svg|thumb|250px|right|Схематичное изображение корпуса DO-41]]

[[Файл:IusKit_Сред_Рассыпуха_голая_1_r1.jpg|thumb|250px|right|Расположение на фото: 3 ряд, 5 столбец]]

Диод '''1N4007''' из линейки 1N400''x''. Кремниевый, выпрямительный общего применения.

Типичное применение:
* Выпрямители напряжения
* Диодные мосты
* Блоки питания
* Защита от обратной полярности

==Документация==

* [[File:PDF icon.svg|frameless|14px]] [[Медиа:Diotec_1n400x.pdf|Datasheet_Diotec_1n400x.pdf]]
* [[File:PDF icon.svg|frameless|14px]] [[Медиа:Vishay_1n400x.pdf|Datasheet_Vishay_1n400x.pdf]]

==Спецификация==

{| class="wikitable" style="margin:auto"
! Параметр !! Значение
|-
| Семейство || 1N400''x''
|-
| Модель || 1N4007
|-
| Корпус || DO-41 ([[Wikipedia:DO-204|DO-204AL]])
|-
| Полярность || Маркировка на катоде
|-
| Материал полупроводника || Кремний
|-
| Материал корпуса || Пластик/Эпоксидная смола ''По разным данным'' Безопасность воспламенения по [[Wikipedia:UL_94|UL 94V-0]]
|-
| Материал выводов || Лужёная медь
|}

==Предельные электрические характеристики==

<blockquote>
Указаны при температуре 25 °C, если не указано иного.
</blockquote>

{| class="wikitable" style="margin:auto"
|-
! scope="col" |
! scope="col" colspan="2" | Параметр
! scope="col" | Термин
! scope="col" | Значение
|-
| style="text-align:right;" | 1
| colspan="2" | Maximum repetitive peak reverse voltage ''Максимальное повторяющееся импульсное обратное напряжение''
| style="text-align:center;" | VRPM
| 1000В
|-
| style="text-align:right;" | 2
| colspan="2" | Maximum RMS voltage ''Максимальное среднеквадратическое напряжение''
| style="text-align:center;" | VRMS
| 700В
|-
| style="text-align:right;" | 3
| colspan="2" | Maximum DC blocking voltage ''Максимальное постоянное обратное напряжение''
| style="text-align:center;" | VDC
| 1000В
|-
| rowspan="2" style="text-align:right;" | 4
| rowspan="2" | Maximum average forward rectified current ''Максимальный усреднённый прямой ток''
| TA = 75°C
| rowspan="2" style="text-align:center;" | IF(AV) или IFAV
| 1.0А
|-
| TA = 100°C
| 0.8А
|-
| style="text-align:right;" | 5
| Repetitive peak forward current ''Повторяющийся пиковый прямой ток''
| f > 15 Hz, TA = 75°C
| style="text-align:center;" | IFRM
| 30А
|-
| rowspan="5" style="text-align:right;" | 6
| rowspan="5" | Non-repetitive peak forward surge current square or half sine-wave waveform superimposed on rated load ''Одиночный пиковый скачок тока прямоугольной формы или формы половины синусоиды, поверх номинального тока''
| tp = 1 ms square
| rowspan="5" style="text-align:center;" | IFSM
| 45А
|-
| tp = 2 ms square
| 35А
|-
| tp = 5 ms square
| 30А
|-
| tp = 8.3 ms ''60 Hz half sine-wave''
| 30А
|-
| tp = 10 ms ''50 Hz half sine-wave''
| 27А
|-
| style="text-align:right;" | 7
| Maximum full load reverse current ''Максимальный ток обратной утечки''
| TL = 75°C
| style="text-align:center;" | IR(AV)
| 30мкА
|-
| rowspan="2" style="text-align:right;" | 8
| rowspan="2" | Rating for fusing ''Номинал сверхтока''
| t < 8.3 ms ''60 Hz half sine-wave''
| rowspan="2" style="text-align:center;" | I2t
| 3.7А2с
|-
| t < 10 ms ''50 Hz half sine-wave''
| 3.6А2с
|-
| rowspan="2" style="text-align:right;" | 9
| rowspan="2" | Operating junction and storage temperature range ''Пределы температуры хранения и температуры кристалла полупроводника''
| colspan="2" style="text-align:center;" | ''Vishay:'' TJ, TSTG
| -50 to +150 °C
|-
| colspan="2" style="text-align:center;" | ''Diotec:'' TJ, TS
| -50 to +175 °C
|}

===Примечания к таблице===

# '''VRPM''' — наибольшее мгновенное значение напряжения, которое допускается прикладывать к диоду в обратном направлении, включая все повторяющиеся напряжения.
# '''VRMS''' — наибольшее длительное среднеквадратичное значение ''(RMS)'' напряжения переменного тока ''(VAC )'', приложенное к диоду в обратном направлении.
# '''VDC''' — наибольшее длительное напряжение постоянного тока ''(VDC )'', приложенное к диоду в обратном направлении.
# '''IF(AV)''' или '''IFAV''' — максимально допустимый прямой ток, усреднённо протекающий за длительный период времени.''Примечание: указывается при температуре корпуса/окружающей среды TA и при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления''
# '''IFRM''' — значение предельно допустимых скачков прямого тока, повторяющихся при определённой частоте''Примечание: указывается при температуре корпуса/окружающей среды TA и при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления''
# '''IFSM''' — максимальное значение скачка прямого пикового тока поверх номинального тока, при указанной длине импульса прямоугольной или полу-синусообразной формы
# '''IR(AV)''' — максимальный ток обратной утечки pn-перехода, средний за весь период ''(full cycle average)''''Примечание: указывается при температуре выводов TL и при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления''
# '''I2t''' — скорость нарастания тока ''(Joule-integral)'' (сверхтока), допустимая до физического разрушения компонента. Сверхток определяется за один период полуволны. Указывается для применения в выпрямителях и мостах.
# '''TS''' или '''TSTG''' — температура хранения ''(STG — Storage)'' '''TJ''' — температура кристалла полупроводника''Примечание: превышение данных диапазонов чаще всего приводит к физическому разрушению кристалла полупроводника''

==Электрические характеристики==

<blockquote>
Указаны при температуре 25 °C, если не указано иного.
</blockquote>

{| class="wikitable" style="margin:auto"
|-
! scope="col"|
! scope="col"| Параметр
! scope="col"| Условие
! scope="col"| Термин
! scope="col"| Значение
|-
| style="text-align:right;" | 1
| Maximum instantaneous forward voltage ''Максимальное падение напряжения''
| style="text-align:center;" | 1.0А
| style="text-align:center;" | VF
| 1.1В
|-
| rowspan="2" style="text-align:right;" | 2
| rowspan="2" | Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage ''Максимальный ток утечки при максимальном обратном напряжении''
| style="text-align:center;" | TA = 25 °C
| rowspan="2" style="text-align:center;" | IR
| 5.0мкА
|-
| style="text-align:center;" | TA = 125 °C
| 50мкА
|-
| style="text-align:right;" | 3
| Typical junction capacitance ''Типичная ёмкость перехода''
| style="text-align:center;" | 4.0 V, 1 MHz
| style="text-align:center;" | CJ
| 15пФ
|}

===Примечания к таблице===

# '''VF''' — Максимальное падение напряжения на pn-переходе. [https://forum.allaboutcircuits.com/threads/instantaneous-forward-voltage.6314/ More info]''Влияет на нагрев, так как всё падение напряжения уходит в тепловые потери''
# '''IR''' — Максимальный постоянный ток ''(IDC )'' обратной утечки pn-перехода, при максимальном постоянно обратном напряжении ''(VDC )''
# '''CJ''' — Типичная ёмкость pn-перехода''Влияет на максимальную частоту, которую может пропустить диод. [https://studfile.net/preview/16468927/ More info]''

==Тепловые характеристики==

<blockquote>
''Справедливо при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления'
</blockquote>

{| class="wikitable" style="margin:auto"
|+ По данным Vishay
|-
! scope="col"| Параметр
! scope="col"| Термин
! scope="col"| Значение
|-
| rowspan="2" | Typical thermal resistance ''Типичное термическое сопротивление''
| style="text-align:center;" | RθJA
| 50°C/Вт
|-
| style="text-align:center;" | RθJL
| 25°C/Вт
|}
 
{| class="wikitable" style="margin:auto"
|+ По данным Diotec
|-
! scope="col"| Параметр
! scope="col"| Термин
! scope="col"| Значение
|-
| rowspan="2" | Typical thermal resistance ''Типичное термическое сопротивление''
| style="text-align:center;" | RthA
| 45К/Вт
|-
| style="text-align:center;" | RthL
| 15К/Вт
|}

===Примечания к таблице===
# '''RθJA''' или '''RthA''' — Типичное термическое сопротивление корпуса к окружающей среде
# '''RθJL''' или '''RthL''' — Типичное термическое сопротивление выводов к окружающей среде

Выдержка из [[wikipedia:ru:Термическое_сопротивление|оригинальной статьи]]:
<blockquote>
'''Термическое сопротивление''' — тепловое сопротивление, способность тела (его поверхности или какого-либо слоя) препятствовать распространению теплового движения молекул.
</blockquote>

Термическое/тепловое сопротивление определяет падение температуры на пути прохождения теплового потока.

Значение теплового сопротивления — разность температур горячей и холодной поверхности теплопроводящего материала к проходящему по нему тепловому потоку.

Применительно к электронике, тепловое сопротивление по своей сути является величиной, показывающей '''нагрев компонента в зависимости от выделяемой им мощности'''.

Файл:OnSemi 1n581x.pdf

2024-05-23T18:57:04Z

Dm sem: OnSemi datasheet for 1N581x diode series [https://www.onsemi.com/download/data-sheet/pdf/1n5817-d.pdf Источник] Category:IusKit_Files

== Краткое описание ==
OnSemi datasheet for 1N581x diode series

[https://www.onsemi.com/download/data-sheet/pdf/1n5817-d.pdf Источник]

[[Category:IusKit_Files]]

Файл:Vishay 1n581x.pdf

2024-05-23T18:56:14Z

Dm sem: Vishay datasheet for 1N581x diode series [https://www.vishay.com/docs/88525/1n5817.pdf Источник] Category:IusKit_Files

== Краткое описание ==
Vishay datasheet for 1N581x diode series

[https://www.vishay.com/docs/88525/1n5817.pdf Источник]

[[Category:IusKit_Files]]

Файл:Diodes 1n581x.pdf

2024-05-23T18:54:26Z

Dm sem: Diodes datasheet for 1N581x diode series [https://www.diodes.com/assets/Datasheets/1N5817-1N5819.pdf Источник] Category:IusKit_Files

== Краткое описание ==
Diodes datasheet for 1N581x diode series

[https://www.diodes.com/assets/Datasheets/1N5817-1N5819.pdf Источник]

[[Category:IusKit_Files]]

Файл:ST 1n581x.pdf

2024-05-23T18:52:41Z

Dm sem: ST datasheet for 1N581x diode series [https://www.st.com/resource/en/datasheet/1n5819.pdf Источник] Category:IusKit_Files

== Краткое описание ==
ST datasheet for 1N581x diode series

[https://www.st.com/resource/en/datasheet/1n5819.pdf Источник]

[[Category:IusKit_Files]]

IusKit:Диод 1N4007

2024-05-23T16:49:47Z

Dm sem: Дополнение, описание таблиц, добавление документации

[[Category:IusKit]]

[[File:DO-41_(shaded).svg|thumb|250px|right|Схематичное изображение корпуса DO-41]]

[[Файл:IusKit_Сред_Рассыпуха_голая_1_r1.jpg|thumb|250px|right|Расположение на фото: 3 ряд, 5 столбец]]

Диод '''1N4007''' из линейки 1N400''x''. Кремниевый, выпрямительный общего применения.

Типичное применение:
* Выпрямители напряжения
* Диодные мосты
* Блоки питания
* Защита от обратной полярности

==Документация==

* [[File:PDF icon.svg|frameless|14px]] [[Медиа:Diotec_1n400x.pdf|Datasheet_Diotec_1n400x.pdf]]
* [[File:PDF icon.svg|frameless|14px]] [[Медиа:Vishay_1n400x.pdf|Datasheet_Vishay_1n400x.pdf]]

==Спецификация==

{| class="wikitable" style="margin:auto"
! Параметр !! Значение
|-
| Семейство || 1N400''x''
|-
| Модель || 1N4007
|-
| Корпус || DO-41 ([[Wikipedia:DO-204|DO-204AL]])
|-
| Материал полупроводника || Кремний
|-
| Материал корпуса || Пластик/Эпоксидная смола ''По разным данным'' Безопасность воспламенения по [[Wikipedia:UL_94|UL 94V-0]]
|-
| Материал выводов || Лужёная медь
|}

==Предельные электрические характеристики==

<blockquote>
Указаны при температуре 25 °C, если не указано иного.
</blockquote>

{| class="wikitable" style="margin:auto"
|-
! scope="col" |
! scope="col" colspan="2" | Параметр
! scope="col" | Термин
! scope="col" | Значение
|-
| style="text-align:right;" | 1
| colspan="2" | Maximum repetitive peak reverse voltage ''Максимальное повторяющееся импульсное обратное напряжение''
| style="text-align:center;" | VRPM
| 1000В
|-
| style="text-align:right;" | 2
| colspan="2" | Maximum RMS voltage ''Максимальное среднеквадратическое напряжение''
| style="text-align:center;" | VRMS
| 700В
|-
| style="text-align:right;" | 3
| colspan="2" | Maximum DC blocking voltage ''Максимальное постоянное обратное напряжение''
| style="text-align:center;" | VDC
| 1000В
|-
| rowspan="2" style="text-align:right;" | 4
| rowspan="2" | Maximum average forward rectified current ''Максимальный усреднённый прямой ток''
| TA = 75°C
| rowspan="2" style="text-align:center;" | IF(AV) или IFAV
| 1.0А
|-
| TA = 100°C
| 0.8А
|-
| style="text-align:right;" | 5
| Repetitive peak forward current ''Повторяющийся пиковый прямой ток''
| f > 15 Hz, TA = 75°C
| style="text-align:center;" | IFRM
| 30А
|-
| rowspan="5" style="text-align:right;" | 6
| rowspan="5" | Non-repetitive peak forward surge current square or half sine-wave waveform superimposed on rated load ''Одиночный пиковый скачок тока прямоугольной формы или формы половины синусоиды, поверх номинального тока''
| tp = 1 ms square
| rowspan="5" style="text-align:center;" | IFSM
| 45А
|-
| tp = 2 ms square
| 35А
|-
| tp = 5 ms square
| 30А
|-
| tp = 8.3 ms ''60 Hz half sine-wave''
| 30А
|-
| tp = 10 ms ''50 Hz half sine-wave''
| 27А
|-
| style="text-align:right;" | 7
| Maximum full load reverse current ''Максимальный ток обратной утечки''
| TL = 75°C
| style="text-align:center;" | IR(AV)
| 30мкА
|-
| rowspan="2" style="text-align:right;" | 8
| rowspan="2" | Rating for fusing ''Номинал сверхтока''
| t < 8.3 ms ''60 Hz half sine-wave''
| rowspan="2" style="text-align:center;" | I2t
| 3.7А2с
|-
| t < 10 ms ''50 Hz half sine-wave''
| 3.6А2с
|-
| rowspan="2" style="text-align:right;" | 9
| rowspan="2" | Operating junction and storage temperature range ''Пределы температуры хранения и температуры кристалла полупроводника''
| colspan="2" style="text-align:center;" | ''Vishay:'' TJ, TSTG
| -50 to +150 °C
|-
| colspan="2" style="text-align:center;" | ''Diotec:'' TJ, TS
| -50 to +175 °C
|}

===Примечания к таблице===

# '''VRPM''' — наибольшее мгновенное значение напряжения, которое допускается прикладывать к диоду в обратном направлении, включая все повторяющиеся напряжения.
# '''VRMS''' — наибольшее длительное среднеквадратичное значение ''(RMS)'' напряжения переменного тока ''(VAC )'', приложенное к диоду в обратном направлении.
# '''VDC''' — наибольшее длительное напряжение постоянного тока ''(VDC )'', приложенное к диоду в обратном направлении.
# '''IF(AV)''' или '''IFAV''' — максимально допустимый прямой ток, усреднённо протекающий за длительный период времени.''Примечание: указывается при температуре корпуса/окружающей среды TA и при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления''
# '''IFRM''' — значение предельно допустимых скачков прямого тока, повторяющихся при определённой частоте''Примечание: указывается при температуре корпуса/окружающей среды TA и при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления''
# '''IFSM''' — максимальное значение скачка прямого пикового тока поверх номинального тока, при указанной длине импульса прямоугольной или полу-синусообразной формы
# '''IR(AV)''' — максимальный ток обратной утечки pn-перехода, средний за весь период ''(full cycle average)''''Примечание: указывается при температуре выводов TL и при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления''
# '''I2t''' — скорость нарастания тока ''(Joule-integral)'' (сверхтока), допустимая до физического разрушения компонента. Сверхток определяется за один период полуволны. Указывается для применения в выпрямителях и мостах.
# '''TS''' или '''TSTG''' — температура хранения ''(STG — Storage)'' '''TJ''' — температура кристалла полупроводника''Примечание: превышение данных диапазонов чаще всего приводит к физическому разрушению кристалла полупроводника''

==Электрические характеристики==

<blockquote>
Указаны при температуре 25 °C, если не указано иного.
</blockquote>

{| class="wikitable" style="margin:auto"
|-
! scope="col"|
! scope="col"| Параметр
! scope="col"| Условие
! scope="col"| Термин
! scope="col"| Значение
|-
| style="text-align:right;" | 1
| Maximum instantaneous forward voltage ''Максимальное падение напряжения''
| style="text-align:center;" | 1.0А
| style="text-align:center;" | VF
| 1.1В
|-
| rowspan="2" style="text-align:right;" | 2
| rowspan="2" | Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage ''Максимальный ток утечки при максимальном обратном напряжении''
| style="text-align:center;" | TA = 25 °C
| rowspan="2" style="text-align:center;" | IR
| 5.0мкА
|-
| style="text-align:center;" | TA = 125 °C
| 50мкА
|-
| style="text-align:right;" | 3
| Typical junction capacitance ''Типичная ёмкость перехода''
| style="text-align:center;" | 4.0 V, 1 MHz
| style="text-align:center;" | CJ
| 15пФ
|}

===Примечания к таблице===

# '''VF''' — Максимальное падение напряжения на pn-переходе. [https://forum.allaboutcircuits.com/threads/instantaneous-forward-voltage.6314/ More info]''Влияет на нагрев, так как всё падение напряжения уходит в тепловые потери''
# '''IR''' — Максимальный постоянный ток ''(IDC )'' обратной утечки pn-перехода, при максимальном постоянно обратном напряжении ''(VDC )''
# '''CJ''' — Типичная ёмкость pn-перехода''Влияет на максимальную частоту, которую может пропустить диод. [https://studfile.net/preview/16468927/ More info]''

==Тепловые характеристики==

<blockquote>
''Справедливо при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления'
</blockquote>

{| class="wikitable" style="margin:auto"
|+ По данным Vishay
|-
! scope="col"| Параметр
! scope="col"| Термин
! scope="col"| Значение
|-
| rowspan="2" | Typical thermal resistance ''Типичное термическое сопротивление''
| style="text-align:center;" | RθJA
| 50°C/Вт
|-
| style="text-align:center;" | RθJL
| 25°C/Вт
|}
 
{| class="wikitable" style="margin:auto"
|+ По данным Diotec
|-
! scope="col"| Параметр
! scope="col"| Термин
! scope="col"| Значение
|-
| rowspan="2" | Typical thermal resistance ''Типичное термическое сопротивление''
| style="text-align:center;" | RthA
| 45К/Вт
|-
| style="text-align:center;" | RthL
| 15К/Вт
|}

===Примечания к таблице===
# '''RθJA''' или '''RthA''' — Типичное термическое сопротивление корпуса к окружающей среде
# '''RθJL''' или '''RthL''' — Типичное термическое сопротивление выводов к окружающей среде

Выдержка из [[wikipedia:ru:Термическое_сопротивление|оригинальной статьи]]:
<blockquote>
'''Термическое сопротивление''' — тепловое сопротивление, способность тела (его поверхности или какого-либо слоя) препятствовать распространению теплового движения молекул.
</blockquote>

Термическое/тепловое сопротивление определяет падение температуры на пути прохождения теплового потока.

Значение теплового сопротивления — разность температур горячей и холодной поверхности теплопроводящего материала к проходящему по нему тепловому потоку.

Применительно к электронике, тепловое сопротивление по своей сути является величиной, показывающей '''нагрев компонента в зависимости от выделяемой им мощности'''.

Файл:Diotec 1n400x.pdf

2024-05-23T13:24:31Z

Dm sem: Добавление категории

== Краткое описание ==
Vishay datasheet for 1N400x diode series

[https://diotec.com/request/datasheet/1n4001.pdf Источник]

[[Category:IusKit_Files]]

Файл:Vishay 1n400x.pdf

2024-05-23T13:24:12Z

Dm sem: Добавление категории

== Краткое описание ==
Vishay datasheet for 1N400x diode series

[https://www.vishay.com/docs/88503/1n4001.pdf Источник]

[[Category:IusKit_Files]]

Файл:Diotec 1n400x.pdf

2024-05-23T11:25:38Z

Dm sem: Vishay datasheet for 1N400x diode series [https://diotec.com/request/datasheet/1n4001.pdf Источник]

== Краткое описание ==
Vishay datasheet for 1N400x diode series

[https://diotec.com/request/datasheet/1n4001.pdf Источник]

Файл:Vishay 1n400x.pdf

2024-05-23T11:24:30Z

Dm sem: Formatting

== Краткое описание ==
Vishay datasheet for 1N400x diode series

[https://www.vishay.com/docs/88503/1n4001.pdf Источник]

Файл:Vishay 1n400x.pdf

2024-05-23T11:23:26Z

Dm sem: Vishay datasheet for 1N400x diode series Источник

== Краткое описание ==
Vishay datasheet for 1N400x diode series

[[https://www.vishay.com/docs/88503/1n4001.pdf|Источник]]

IusKit:Diode1N5819

2024-05-23T11:13:56Z

Dm sem: Добавление редиректа, категории

#REDIRECT [[IusKit:Диод_1N5819]]
[[Category:IusKit]]

IusKit:Диод 1N4007

2024-05-22T18:04:08Z

Dm sem: Наполнение контентом

IusKit:Блок Питания

2024-05-22T15:12:00Z

Dm sem: Наполнение контентом

[[Category:IusKit]]

[[Файл:IusKit Сред БП 1 r1.jpg|thumb|250px|right|Внешний вид ''Фото 1'']]
[[Файл:IusKit Сред БП 2 r1.jpg|thumb|250px|right|Внешний вид ''Фото 2'']]

Импульсный блок питания.

Используется как преобразователь AC/DC, для подачи низкого напряжения, гальванически изолированного от сети, на электроцепи и схемы.

==Спецификация==

{| class="wikitable" style="margin:auto"
! Параметр !! Значение
|-
| Модель || LY-1210
|-
| Входное напряжение || 100-240В переменного тока 50/60 Гц
|-
| Вилка || EU ([[wikipedia:ru:Europlug|CEE 7/16]]) [[File:Europlug.svg|32px]]
|-
| Выходное напряжение || 12В постоянного тока
|-
| Выходной ток || 1000 мА
|-
| Выходная мощность || 12 Вт
|-
| Разъём || 5.5 * 2.1-2.5 male ''(подпружиненные контакты)''
|-
| Полярность штекера || [[File:Polarity_marking_center_positive.svg|100px]]
|-
| Длина кабеля || ''уточняется''
|-
| Наличие защиты || Не исследовано ''Вероятно отсутствует''
|}

==Совместимость==
[[Файл:IusKit_Сред_Pm_n_bb_n_ps_1_r1.jpg|thumb|250px|right|Блок питания с [[IusKit:BreadBoardSupply|модулем питания]], размещённом в [[IusKit:BreadBoard|макетной плате]]]]
Блок питания совместим со следующими компонентами из набора:
*[[IusKit:JackFemale|Разъём 5.5х2.1 Female]]
*[[IusKit:BreadBoardSupply|Модуль питания MB102]]

==Использование==

Может использоваться как основной источник питания в малопотребляющих схемах.

<blockquote>
'''Внимание!'''

Не используйте блок питания в момент сборки схемы. Подключайте штекер в разъём только тогда, когда убедитесь, что в цепи отсутствует короткое замыкание.

В работе с высоким напряжением соблюдайте правила электробезопасности.
</blockquote>

Файл:IusKit Сред LED 3 r1.jpg

2024-05-22T12:47:21Z

Dm sem: IusKit, средний план Набор светодиодов, фото №3 Category:IusKit_Files

== Краткое описание ==
[[IusKit]], средний план

Набор светодиодов, фото №3

[[Category:IusKit_Files]]

Файл:IusKit Сред LED 2 r1.jpg

2024-05-22T12:47:07Z

Dm sem: IusKit, средний план Набор светодиодов, фото №2 Category:IusKit_Files

== Краткое описание ==
[[IusKit]], средний план

Набор светодиодов, фото №2

[[Category:IusKit_Files]]

Файл:IusKit Сред LED 1 r1.jpg

2024-05-22T12:46:55Z

Dm sem: IusKit, средний план Набор светодиодов, фото №1 Category:IusKit_Files

== Краткое описание ==
[[IusKit]], средний план

Набор светодиодов, фото №1

[[Category:IusKit_Files]]

Файл:IusKit Сред Caps 3 r1.jpg

2024-05-22T12:46:33Z

Dm sem: IusKit, средний план Набор конденсаторов, фото №3 Category:IusKit_Files

== Краткое описание ==
[[IusKit]], средний план

Набор конденсаторов, фото №3

[[Category:IusKit_Files]]

Файл:IusKit Сред Caps 2 r1.jpg

2024-05-22T12:46:19Z

Dm sem: IusKit, средний план Набор конденсаторов, фото №2 Category:IusKit_Files

== Краткое описание ==
[[IusKit]], средний план

Набор конденсаторов, фото №2

[[Category:IusKit_Files]]

Файл:IusKit Сред Caps 1 r1.jpg

2024-05-22T12:46:04Z

Dm sem: IusKit, средний план Набор конденсаторов, фото №1 Category:IusKit_Files

== Краткое описание ==
[[IusKit]], средний план

Набор конденсаторов, фото №1

[[Category:IusKit_Files]]

Файл:IusKit Сред Jumpers 3 r1.jpg

2024-05-22T12:45:42Z

Dm sem: IusKit, средний план Монтажные перемычки, фото №3 Category:IusKit_Files

== Краткое описание ==
[[IusKit]], средний план

Монтажные перемычки, фото №3

[[Category:IusKit_Files]]

Файл:IusKit Сред Jumpers 2 r1.jpg

2024-05-22T12:45:30Z

Dm sem: IusKit, средний план Монтажные перемычки, фото №2 Category:IusKit_Files

== Краткое описание ==
[[IusKit]], средний план

Монтажные перемычки, фото №2

[[Category:IusKit_Files]]

Файл:IusKit Сред Jumpers 1 r1.jpg

2024-05-22T12:45:16Z

Dm sem: IusKit, средний план Монтажные перемычки, фото №1 Category:IusKit_Files

== Краткое описание ==
[[IusKit]], средний план

Монтажные перемычки, фото №1

[[Category:IusKit_Files]]

Файл:IusKit Сред Breadboard n wires 1 r1.jpg

2024-05-22T12:44:45Z

Dm sem: IusKit, средний план Макетная плата, монтажные провода, монтажные перемычки, фото №1 Category:IusKit_Files

== Краткое описание ==
[[IusKit]], средний план

Макетная плата, монтажные провода, монтажные перемычки, фото №1

[[Category:IusKit_Files]]

Файл:IusKit Сред Breadboard 6 r1.jpg

2024-05-22T12:43:48Z

Dm sem: IusKit, средний план Макетная плата, фото №6 Category:IusKit_Files

== Краткое описание ==
[[IusKit]], средний план

Макетная плата, фото №6

[[Category:IusKit_Files]]

Файл:IusKit Сред Breadboard 5 r1.jpg

2024-05-22T12:43:36Z

Dm sem: IusKit, средний план Макетная плата, фото №5 Category:IusKit_Files

== Краткое описание ==
[[IusKit]], средний план

Макетная плата, фото №5

[[Category:IusKit_Files]]

Файл:IusKit Сред Breadboard 4 r1.jpg

2024-05-22T12:43:23Z

Dm sem: IusKit, средний план Макетная плата, фото №4 Category:IusKit_Files

== Краткое описание ==
[[IusKit]], средний план

Макетная плата, фото №4

[[Category:IusKit_Files]]

Файл:IusKit Сред Breadboard 3 r1.jpg

2024-05-22T12:43:11Z

Dm sem: IusKit, средний план Макетная плата, фото №3 Category:IusKit_Files

== Краткое описание ==
[[IusKit]], средний план

Макетная плата, фото №3

[[Category:IusKit_Files]]

Файл:IusKit Сред Breadboard 2 r1.jpg

2024-05-22T12:43:00Z

Dm sem: IusKit, средний план Макетная плата, фото №2 Category:IusKit_Files

== Краткое описание ==
[[IusKit]], средний план

Макетная плата, фото №2

[[Category:IusKit_Files]]

Файл:IusKit Сред Breadboard 1 r1.jpg

2024-05-22T12:42:41Z

Dm sem: IusKit, средний план Макетная плата, фото №1 Category:IusKit_Files

== Краткое описание ==
[[IusKit]], средний план

Макетная плата, фото №1

[[Category:IusKit_Files]]

Файл:IusKit Сред Pm n bb 4 r1.jpg

2024-05-22T12:42:19Z

Dm sem: IusKit, средний план Макетная плата, модуль питания, фото №4 Category:IusKit_Files

== Краткое описание ==
[[IusKit]], средний план

Макетная плата, модуль питания, фото №4

[[Category:IusKit_Files]]

Файл:IusKit Сред Pm n bb 3 r1.jpg

2024-05-22T12:42:03Z

Dm sem: IusKit, средний план Макетная плата, модуль питания, фото №3 Category:IusKit_Files

== Краткое описание ==
[[IusKit]], средний план

Макетная плата, модуль питания, фото №3

[[Category:IusKit_Files]]

Файл:IusKit Сред Pm n bb 2 r1.jpg

2024-05-22T12:41:52Z

Dm sem: IusKit, средний план Макетная плата, модуль питания, фото №2 Category:IusKit_Files

== Краткое описание ==
[[IusKit]], средний план

Макетная плата, модуль питания, фото №2

[[Category:IusKit_Files]]

Файл:IusKit Сред Pm n bb 1 r1.jpg

2024-05-22T12:41:41Z

Dm sem: IusKit, средний план Макетная плата, модуль питания, фото №1 Category:IusKit_Files

== Краткое описание ==
[[IusKit]], средний план

Макетная плата, модуль питания, фото №1

[[Category:IusKit_Files]]