Dm sem: Initial commit

2024-05-28T12:32:00Z

Initial commit

Новая страница

[[Category:IusKit]]

[[File:DO-41_(shaded).svg|thumb|250px|right|Схематичное изображение корпуса DO-41]]

[[Файл:IusKit_Сред_Рассыпуха_голая_1_r1.jpg|thumb|250px|right|Расположение на фото: 3 ряд, 5 столбец]]

Диод Шоттки '''1N5819''' из линейки 1N581''x''. Кремниевый, с барьером Шоттки, выпрямительный общего применения.

Типичное применение:
* Низковольтные высокочастотные инверторы
* Импульсные источники питания
* DC-DC преобразователи
* Freewheeling diode / Flyback diode. [[wikipedia:en:Flyback_diode|More info]]
* Защита от обратной полярности

==Документация==

* [[File:PDF icon.svg|frameless|14px]] [[Медиа:Diodes_1n581x.pdf|Datasheet_Diodes_1n581x.pdf]]
* [[File:PDF icon.svg|frameless|14px]] [[Медиа:OnSemi_1n581x.pdf|Datasheet_OnSemi_1n581x.pdf]]
* [[File:PDF icon.svg|frameless|14px]] [[Медиа:ST_1n581x.pdf|Datasheet_ST_1n581x.pdf]]
* [[File:PDF icon.svg|frameless|14px]] [[Медиа:Vishay_1n581x.pdf|Datasheet_Vishay_1n581x.pdf]]

==Спецификация==

{| class="wikitable" style="margin:auto"
! Параметр !! Значение
|-
| Семейство || 1N581''x''
|-
| Модель || 1N5819
|-
| Корпус || DO-41 ([[Wikipedia:DO-204|DO-204AL]])
|-
| Полярность || Маркировка на катоде
|-
| Материал полупроводника || Кремний
|-
| Материал корпуса || Пластик/Эпоксидная смола ''По разным данным'' Безопасность воспламенения по [[Wikipedia:UL_94|UL 94V-0]]
|-
| Материал выводов || Лужёная медь
|}

==Предельные электрические характеристики==

<blockquote>
Указаны при температуре 25 °C, если не указано иного.
</blockquote>

{| class="wikitable" style="margin:auto"
|-
! scope="col" |
! scope="col" colspan="2" | Параметр
! scope="col" | Термин
! scope="col" | Значение
|-
| rowspan="2" style="text-align:right;" | 1
| colspan="2" | Maximum repetitive peak reverse voltage ''Максимальное повторяющееся импульсное обратное напряжение''
| style="text-align:center;" | VRRM
| rowspan="2" | 40В
|-
| colspan="2" | Working Peak Reverse Voltage ''Рабочее пиковое обратное напряжение''
| style="text-align:center;" | VRWM
|-
| style="text-align:right;" | 2
| colspan="2" | Maximum RMS voltage ''Максимальное среднеквадратическое напряжение''
| style="text-align:center;" | VR(RMS)
| 28В
|-
| style="text-align:right;" | 3
| colspan="2" | Maximum DC blocking voltage ''Максимальное постоянное обратное напряжение''
| style="text-align:center;" | VDC
| 40В
|-
| style="text-align:right;" | 4
| colspan="2" | Maximum non-repetitive peak reverse voltage ''Пиковое обратное напряжение''
| style="text-align:center;" | VRSM
| 48В
|-
| style="text-align:right;" | 5
| Maximum average forward rectified current ''Максимальный усреднённый прямой ток''
| TL = 90°C
| style="text-align:center;" | IF(AV) или IO
| 1.0А
|-
| rowspan="2" style="text-align:right;" | 6
| style="color:gray;" colspan="2" | Repetitive peak forward current ''Повторяющийся пиковый прямой ток''
| style="text-align:center; color:gray;" | IFRM
| style="color:gray;" | N/A
|-
| Repetitive peak avalanche power ''Повторяющаяся пиковая лавинная мощность''
| tp = 1 µs
| style="text-align:center;" | PARM
| 900Вт
|-
| rowspan="5" style="text-align:right;" | 7
| rowspan="5" | Non-repetitive peak forward surge current square or half sine-wave waveform superimposed on rated load ''Одиночный пиковый скачок тока прямоугольной формы или формы половины синусоиды, поверх номинального тока''
| style="color:gray;" | tp = 1 ms square
| rowspan="5" style="text-align:center;" | IFSM
| style="color:gray;" | N/A
|-
| style="color:gray;" | tp = 2 ms square
| style="color:gray;" | N/A
|-
| style="color:gray;" | tp = 5 ms square
| style="color:gray;" | N/A
|-
| tp = 8.3 ms ''60 Hz half sine-wave''
| 25А
|-
| tp = 10 ms ''50 Hz half sine-wave''
| 25А
|-
| style="text-align:right; color:gray;" | 8
| colspan="2" style="color:gray;" | Maximum full load reverse current ''Максимальный ток обратной утечки''
| style="text-align:center; color:gray;" | IR(AV)
| style="color:gray;" | N/A
|-
| rowspan="2" style="text-align:right;" | 9
| colspan="2" style="color:gray;" | Rating for fusing ''Номинал сверхтока''
| style="text-align:center; color:gray;" | I2t
| style="color:gray;" | N/A
|-
| colspan="2" | Voltage rate of change (rated VR) ''Скорость нарастания обратного напряжения''
| style="text-align:center; | dV/dt
| 10 000 В/мкс
|-
| rowspan="10" style="text-align:right;" | 10
| Ambient Temperature ''Температура окружающей среды''
| OnSemi
| style="text-align:center;" | TA
| 75 °C
|-
| rowspan="4" | Maximum Operating Junction Temperature ''Максимальная рабочая температура кристалла полупроводника''
| Diodes
| rowspan="4" style="text-align:center;" | TJ
| rowspan="3" | +125 °C
|-
| OnSemi
|-
| Vishay
|-
| ST
| +150 °C
|-
| Peak Operating Junction Temperature (Forward Current applied) ''Пиковая максимальная рабочая температура''
| OnSemi
| style="text-align:center;" | TJ(pk)
| +150 °C
|-
| rowspan="4" | Storage temperature range ''Пределы температуры хранения компонента''
| Diodes
| rowspan="4" style="text-align:center;" | TSTG
| rowspan="3" | -65 to +125 °C
|-
| OnSemi
|-
| Vishay
|-
| ST
| -65 to +150 °C
|-
|}

===Примечания к таблице===

# '''VRRM''' — наибольшее мгновенное значение напряжения, которое допускается прикладывать к диоду в обратном направлении, включая все повторяющиеся напряжения.
# '''VRMS''' — наибольшее длительное среднеквадратичное значение ''(RMS)'' напряжения переменного тока ''(VAC )'', приложенное к диоду в обратном направлении.
# '''VDC''' — наибольшее длительное напряжение постоянного тока ''(VDC )'', приложенное к диоду в обратном направлении.
# '''VRSM''' — наибольшее мгновенное значение напряжения, которое допускается ''однократно'' прикладывать к диоду в обратном направлении.
# '''IF(AV)''' или '''IO''' — максимально допустимый прямой ток, усреднённо протекающий за длительный период времени.''Примечание: указывается при температуре выводов TL и при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления''
# '''IFRM''' — значение предельно допустимых скачков прямого тока, повторяющихся при определённой частоте''Примечание: для данного семейства диода не указано'''''PARM''' — значение лавинной (пиковой ударной) мощности, которую кристалл диода может выдержать без физического разрушения. [https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/knowledge/faq/mosfet/what-is-avalanche-capability.html More info]''Примечание: приводится при указанной длительности ударного импульса, при температуре кристалла Tj = 25°C''
# '''IFSM''' — максимальное значение скачка прямого пикового тока поверх номинального тока, при указанной длине импульса прямоугольной или полу-синусообразной формы
# '''IR(AV)''' — максимальный ток обратной утечки pn-перехода, средний за весь период ''(full cycle average)''''Примечание: для данного семейства диода не указано''
# '''I2t''' — скорость нарастания тока ''(Joule-integral)'' (сверхтока), допустимая до физического разрушения компонента''Примечание: для данного семейства диода не указано'''''dV/dt''' — предельно допустимая скорость увеличения напряжения, прикладываемое к диоду в обратном направлении
# '''TA''' — максимально допустимая температура окружающей среды '''TJ''' — максимально допустимая рабочая температура кристалла полупроводника '''TJ(pk)''' — пиковая максимально допустимая рабочая температура кристалла полупроводника при прямо проходящем токе '''TS''' или '''TSTG''' — температура хранения ''(STG — Storage)'' ''Примечание: превышение данных диапазонов чаще всего приводит к физическому разрушению кристалла полупроводника''

==Электрические характеристики==

<blockquote>
Указаны при температуре 25 °C, если не указано иного. 
Для напряжения и тока значения исследованы при подаче импульса длиной 380 мкс, скважностью < 2%.
</blockquote>

{| class="wikitable" style="margin:auto"
|-
! scope="col"|
! scope="col"| Параметр
! scope="col"| Условие
! scope="col"| Термин
! scope="col"| Значение
|-
| rowspan="3" style="text-align:right;" | 1
| rowspan="3" | Maximum instantaneous forward voltage ''Максимальное падение напряжения''
| style="text-align:center;" | IF = 0.1А
| rowspan="3" style="text-align:center;" | VF или VFM
| 0.34В
|-
| style="text-align:center;" | IF = 1.0А
| 0.60В
|-
| style="text-align:center;" | IF = 3.0А
| 0.90В
|-
| rowspan="2" style="text-align:right;" | 2
| rowspan="2" | Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage ''Максимальный ток утечки при максимальном обратном напряжении''
| style="text-align:center;" | TA = 25 °C
| rowspan="2" style="text-align:center;" | IR
| 1.0мА
|-
| style="text-align:center;" | TA = 125 °C
| 10мА
|-
| style="text-align:right;" | 3
| Typical junction capacitance ''Типичная ёмкость перехода''
| style="text-align:center;" | 4.0 V, 1 MHz
| style="text-align:center;" | CJ
| 110пФ
|}

===Примечания к таблице===

# '''VF''' или '''VFM''' — Максимальное падение напряжения на pn-переходе. [https://forum.allaboutcircuits.com/threads/instantaneous-forward-voltage.6314/ More info]''Влияет на нагрев, так как всё падение напряжения уходит в тепловые потери''
# '''IR''' — Максимальный постоянный ток ''(IDC )'' обратной утечки pn-перехода, при максимальном постоянно обратном напряжении ''(VDC )''
# '''CJ''' — Типичная ёмкость pn-перехода''Влияет на максимальную частоту, которую может пропустить диод. [https://studfile.net/preview/16468927/ More info]''

==Тепловые характеристики==

<blockquote>
''Справедливо при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления
</blockquote>

{| class="wikitable" style="margin:auto"
|-
! scope="col"| Параметр
! scope="col"| Вендор
! scope="col"| Термин
! scope="col"| Значение
|-
| rowspan="8" | Typical thermal resistance ''Типичное термическое сопротивление''
| rowspan="2" | Diodes
| style="text-align:center;" | RθJA
| 50°C/Вт
|-
| style="text-align:center;" | RθJL
| 15°C/Вт
|-
| rowspan="2" | OnSemi
| style="text-align:center;" | RθJA
| 80°C/Вт
|-
| style="text-align:center; color:gray;" | RθJL
| style="color:gray;" | N/A
|-
| rowspan="2" | Vishay
| style="text-align:center;" | RθJA
| 50°C/Вт
|-
| style="text-align:center;" | RθJL
| 15°C/Вт
|-
| rowspan="2" | ST
| style="text-align:center;" | RthJ
| 100°C/Вт
|-
| style="text-align:center;" | RthL
| 45°C/Вт
|-
|}

===Примечания к таблице===
# '''RθJA''' или '''RthA''' — Типичное термическое сопротивление корпуса к окружающей среде
# '''RθJL''' или '''RthL''' — Типичное термическое сопротивление выводов к окружающей среде

Выдержка из [[wikipedia:ru:Термическое_сопротивление|оригинальной статьи]]:
<blockquote>
'''Термическое сопротивление''' — тепловое сопротивление, способность тела (его поверхности или какого-либо слоя) препятствовать распространению теплового движения молекул.
</blockquote>

Термическое/тепловое сопротивление определяет падение температуры на пути прохождения теплового потока.

Значение теплового сопротивления — разность температур горячей и холодной поверхности теплопроводящего материала к проходящему по нему тепловому потоку.

Применительно к электронике, тепловое сопротивление по своей сути является величиной, показывающей '''нагрев компонента в зависимости от выделяемой им мощности'''.

IusKit:Диод 1N5819 - История изменений

Dm sem: Initial commit