IusKit:Диод 1N4007: различия между версиями
Dm sem (обсуждение | вклад) (Поправка, добавление значений) |
Dm sem (обсуждение | вклад) (Правка таблицы) |
||
| Строка 51: | Строка 51: | ||
! scope="col" | Значение | ! scope="col" | Значение | ||
|- | |- | ||
| | | style="text-align:right;" | 1 | ||
| colspan="2" | Maximum repetitive peak reverse voltage<br>''Максимальное повторяющееся импульсное обратное напряжение'' | | colspan="2" | Maximum repetitive peak reverse voltage<br>''Максимальное повторяющееся импульсное обратное напряжение'' | ||
| style="text-align:center;" | V<sub>RRM</sub> | | style="text-align:center;" | V<sub>RRM</sub> | ||
| 1000В | | 1000В | ||
|- | |- | ||
| Строка 70: | Строка 66: | ||
| 1000В | | 1000В | ||
|- | |- | ||
| rowspan="2" style="text-align:right;" | | | style="text-align:right;" | 4 | ||
| colspan="2" | Surge peak reverse voltage<br>''Пиковое обратное напряжение'' | |||
| style="text-align:center;" | V<sub>RSM</sub> | |||
| 1000В | |||
|- | |||
| rowspan="2" style="text-align:right;" | 5 | |||
| rowspan="2" | Maximum average forward rectified current<br>''Максимальный усреднённый прямой ток'' | | rowspan="2" | Maximum average forward rectified current<br>''Максимальный усреднённый прямой ток'' | ||
| T<sub>A</sub> = 75°C | | T<sub>A</sub> = 75°C | ||
| Строка 79: | Строка 80: | ||
| 0.8А | | 0.8А | ||
|- | |- | ||
| style="text-align:right;" | | | style="text-align:right;" | 6 | ||
| Repetitive peak forward current<br>''Повторяющийся пиковый прямой ток'' | | Repetitive peak forward current<br>''Повторяющийся пиковый прямой ток'' | ||
| f > 15 Hz,<br>T<sub>A</sub> = 75°C | | f > 15 Hz,<br>T<sub>A</sub> = 75°C | ||
| Строка 85: | Строка 86: | ||
| 30А | | 30А | ||
|- | |- | ||
| rowspan="5" style="text-align:right;" | | | rowspan="5" style="text-align:right;" | 7 | ||
| rowspan="5" | Non-repetitive peak forward surge current square or half sine-wave waveform superimposed on rated load<br>''Одиночный пиковый скачок тока прямоугольной формы или формы половины синусоиды, поверх номинального тока'' | | rowspan="5" | Non-repetitive peak forward surge current square or half sine-wave waveform superimposed on rated load<br>''Одиночный пиковый скачок тока прямоугольной формы или формы половины синусоиды, поверх номинального тока'' | ||
| t<sub>p</sub> = 1 ms<br>square | | t<sub>p</sub> = 1 ms<br>square | ||
| Строка 103: | Строка 104: | ||
| 27А | | 27А | ||
|- | |- | ||
| style="text-align:right;" | | | style="text-align:right;" | 8 | ||
| Maximum full load reverse current<br>''Максимальный ток обратной утечки'' | | Maximum full load reverse current<br>''Максимальный ток обратной утечки'' | ||
| T<sub>L</sub> = 75°C | | T<sub>L</sub> = 75°C | ||
| Строка 109: | Строка 110: | ||
| 30мкА | | 30мкА | ||
|- | |- | ||
| rowspan="2" style="text-align:right;" | | | rowspan="2" style="text-align:right;" | 9 | ||
| rowspan="2" | Rating for fusing<br>''Номинал сверхтока'' | | rowspan="2" | Rating for fusing<br>''Номинал сверхтока'' | ||
| t < 8.3 ms<br>''60 Hz half sine-wave'' | | t < 8.3 ms<br>''60 Hz half sine-wave'' | ||
| Строка 118: | Строка 119: | ||
| 3.6А<sup>2</sup>с | | 3.6А<sup>2</sup>с | ||
|- | |- | ||
| rowspan="2" style="text-align:right;" | | | rowspan="2" style="text-align:right;" | 10 | ||
| rowspan="2" | Operating junction and storage temperature range<br>''Пределы температуры хранения и температуры кристалла полупроводника'' | | rowspan="2" | Operating junction and storage temperature range<br>''Пределы температуры хранения и температуры кристалла полупроводника'' | ||
| colspan="2" style="text-align:center;" | ''Vishay:'' T<sub>J</sub>, T<sub>STG</sub> | | colspan="2" style="text-align:center;" | ''Vishay:'' T<sub>J</sub>, T<sub>STG</sub> | ||
| Строка 129: | Строка 130: | ||
===Примечания к таблице=== | ===Примечания к таблице=== | ||
# '''V<sub>RRM | # '''V<sub>RRM</sub>''' — наибольшее мгновенное значение напряжения, которое допускается прикладывать к диоду в обратном направлении, включая все повторяющиеся напряжения. | ||
# '''V<sub>RMS</sub>''' — наибольшее длительное среднеквадратичное значение ''(RMS)'' напряжения переменного тока ''(V<sub>AC </sub>)'', приложенное к диоду в обратном направлении. | # '''V<sub>RMS</sub>''' — наибольшее длительное среднеквадратичное значение ''(RMS)'' напряжения переменного тока ''(V<sub>AC </sub>)'', приложенное к диоду в обратном направлении. | ||
# '''V<sub>DC</sub>''' — наибольшее длительное напряжение постоянного тока ''(V<sub>DC </sub>)'', приложенное к диоду в обратном направлении. | # '''V<sub>DC</sub>''' — наибольшее длительное напряжение постоянного тока ''(V<sub>DC </sub>)'', приложенное к диоду в обратном направлении. | ||
# '''V<sub>RSM</sub>''' — наибольшее мгновенное значение напряжения, которое допускается ''однократно'' прикладывать к диоду в обратном направлении. | |||
# '''I<sub>F(AV)</sub>''' или '''I<sub>FAV</sub>''' — максимально допустимый прямой ток, усреднённо протекающий за длительный период времени.<p style="margin: 0 0 0 2rem; color:gray;">''Примечание: указывается при температуре корпуса/окружающей среды T<sub>A</sub> и при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления''</p> | # '''I<sub>F(AV)</sub>''' или '''I<sub>FAV</sub>''' — максимально допустимый прямой ток, усреднённо протекающий за длительный период времени.<p style="margin: 0 0 0 2rem; color:gray;">''Примечание: указывается при температуре корпуса/окружающей среды T<sub>A</sub> и при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления''</p> | ||
# '''I<sub>FRM</sub>''' — значение предельно допустимых скачков прямого тока, повторяющихся при определённой частоте<p style="margin: 0 0 0 2rem; color:gray;">''Примечание: указывается при температуре корпуса/окружающей среды T<sub>A</sub> и при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления''</p> | # '''I<sub>FRM</sub>''' — значение предельно допустимых скачков прямого тока, повторяющихся при определённой частоте<p style="margin: 0 0 0 2rem; color:gray;">''Примечание: указывается при температуре корпуса/окружающей среды T<sub>A</sub> и при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления''</p> | ||
Версия от 13:52, 28 мая 2024
.svg)
3 ряд, 5 столбец
Диод 1N4007 из линейки 1N400x. Кремниевый, выпрямительный общего применения.
Типичное применение:
- Выпрямители напряжения
- Диодные мосты
- Блоки питания
- Защита от обратной полярности
Документация
Спецификация
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Семейство | 1N400x |
| Модель | 1N4007 |
| Корпус | DO-41 (DO-204AL) |
| Полярность | Маркировка на катоде |
| Материал полупроводника | Кремний |
| Материал корпуса | Пластик/Эпоксидная смола По разным данным Безопасность воспламенения по UL 94V-0 |
| Материал выводов | Лужёная медь |
Предельные электрические характеристики
Указаны при температуре 25 °C, если не указано иного.
| Параметр | Термин | Значение | ||
|---|---|---|---|---|
| 1 | Maximum repetitive peak reverse voltage Максимальное повторяющееся импульсное обратное напряжение |
VRRM | 1000В | |
| 2 | Maximum RMS voltage Максимальное среднеквадратическое напряжение |
VRMS | 700В | |
| 3 | Maximum DC blocking voltage Максимальное постоянное обратное напряжение |
VDC | 1000В | |
| 4 | Surge peak reverse voltage Пиковое обратное напряжение |
VRSM | 1000В | |
| 5 | Maximum average forward rectified current Максимальный усреднённый прямой ток |
TA = 75°C | IF(AV) или IFAV |
1.0А |
| TA = 100°C | 0.8А | |||
| 6 | Repetitive peak forward current Повторяющийся пиковый прямой ток |
f > 15 Hz, TA = 75°C |
IFRM | 30А |
| 7 | Non-repetitive peak forward surge current square or half sine-wave waveform superimposed on rated load Одиночный пиковый скачок тока прямоугольной формы или формы половины синусоиды, поверх номинального тока |
tp = 1 ms square |
IFSM | 45А |
| tp = 2 ms square |
35А | |||
| tp = 5 ms square |
30А | |||
| tp = 8.3 ms 60 Hz half sine-wave |
30А | |||
| tp = 10 ms 50 Hz half sine-wave |
27А | |||
| 8 | Maximum full load reverse current Максимальный ток обратной утечки |
TL = 75°C | IR(AV) | 30мкА |
| 9 | Rating for fusing Номинал сверхтока |
t < 8.3 ms 60 Hz half sine-wave |
I2t | 3.7А2с |
| t < 10 ms 50 Hz half sine-wave |
3.6А2с | |||
| 10 | Operating junction and storage temperature range Пределы температуры хранения и температуры кристалла полупроводника |
Vishay: TJ, TSTG | -50 to +150 °C | |
| Diotec: TJ, TS | -50 to +175 °C | |||
Примечания к таблице
- VRRM — наибольшее мгновенное значение напряжения, которое допускается прикладывать к диоду в обратном направлении, включая все повторяющиеся напряжения.
- VRMS — наибольшее длительное среднеквадратичное значение (RMS) напряжения переменного тока (VAC ), приложенное к диоду в обратном направлении.
- VDC — наибольшее длительное напряжение постоянного тока (VDC ), приложенное к диоду в обратном направлении.
- VRSM — наибольшее мгновенное значение напряжения, которое допускается однократно прикладывать к диоду в обратном направлении.
- IF(AV) или IFAV — максимально допустимый прямой ток, усреднённо протекающий за длительный период времени.
Примечание: указывается при температуре корпуса/окружающей среды TA и при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления
- IFRM — значение предельно допустимых скачков прямого тока, повторяющихся при определённой частоте
Примечание: указывается при температуре корпуса/окружающей среды TA и при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления
- IFSM — максимальное значение скачка прямого пикового тока поверх номинального тока, при указанной длине импульса прямоугольной или полу-синусообразной формы
- IR(AV) — максимальный ток обратной утечки pn-перехода, средний за весь период (full cycle average)
Примечание: указывается при температуре выводов TL и при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления
- I2t — скорость нарастания тока (Joule-integral) (сверхтока), допустимая до физического разрушения компонента. Сверхток определяется за один период полуволны. Указывается для применения в выпрямителях и мостах.
- TS или TSTG — температура хранения (STG — Storage)
TJ — температура кристалла полупроводникаПримечание: превышение данных диапазонов чаще всего приводит к физическому разрушению кристалла полупроводника
Электрические характеристики
Указаны при температуре 25 °C, если не указано иного.
| Параметр | Условие | Термин | Значение | |
|---|---|---|---|---|
| 1 | Maximum instantaneous forward voltage Максимальное падение напряжения |
1.0А | VF | 1.1В |
| 2 | Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage Максимальный ток утечки при максимальном обратном напряжении |
TA = 25 °C | IR | 5.0мкА |
| TA = 125 °C | 50мкА | |||
| 3 | Typical junction capacitance Типичная ёмкость перехода |
4.0 V, 1 MHz |
CJ | 15пФ |
Примечания к таблице
- VF — Максимальное падение напряжения на pn-переходе. More info
Влияет на нагрев, так как всё падение напряжения уходит в тепловые потери
- IR — Максимальный постоянный ток (IDC ) обратной утечки pn-перехода, при максимальном постоянно обратном напряжении (VDC )
- CJ — Типичная ёмкость pn-перехода
Влияет на максимальную частоту, которую может пропустить диод. More info
Тепловые характеристики
Справедливо при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления'
| Параметр | Термин | Значение |
|---|---|---|
| Typical thermal resistance Типичное термическое сопротивление |
RθJA | 50°C/Вт |
| RθJL | 25°C/Вт |
| Параметр | Термин | Значение |
|---|---|---|
| Typical thermal resistance Типичное термическое сопротивление |
RthA | 45К/Вт |
| RthL | 15К/Вт |
Примечания к таблице
- RθJA или RthA — Типичное термическое сопротивление корпуса к окружающей среде
- RθJL или RthL — Типичное термическое сопротивление выводов к окружающей среде
Выдержка из оригинальной статьи:
Термическое сопротивление — тепловое сопротивление, способность тела (его поверхности или какого-либо слоя) препятствовать распространению теплового движения молекул.
Термическое/тепловое сопротивление определяет падение температуры на пути прохождения теплового потока.
Значение теплового сопротивления — разность температур горячей и холодной поверхности теплопроводящего материала к проходящему по нему тепловому потоку.
Применительно к электронике, тепловое сопротивление по своей сути является величиной, показывающей нагрев компонента в зависимости от выделяемой им мощности.