IusKit:Диод 1N4007: различия между версиями

Материал из CrazyGeeks Wiki
(Дополнение, описание таблиц, добавление документации)
м (опечатка)
 
(не показаны 3 промежуточные версии этого же участника)
Строка 28: Строка 28:
|-
|-
| Корпус || DO-41 ([[Wikipedia:DO-204|DO-204AL]])
| Корпус || DO-41 ([[Wikipedia:DO-204|DO-204AL]])
|-
| Полярность || Маркировка на катоде
|-
|-
| Материал полупроводника || Кремний
| Материал полупроводника || Кремний
Строка 51: Строка 53:
| style="text-align:right;" | 1
| style="text-align:right;" | 1
| colspan="2" | Maximum repetitive peak reverse voltage<br>''Максимальное повторяющееся импульсное обратное напряжение''
| colspan="2" | Maximum repetitive peak reverse voltage<br>''Максимальное повторяющееся импульсное обратное напряжение''
| style="text-align:center;" | V<sub>RPM</sub>
| style="text-align:center;" | V<sub>RRM</sub>
| 1000В
| 1000В
|-
|-
Строка 64: Строка 66:
| 1000В
| 1000В
|-
|-
| rowspan="2" style="text-align:right;" | 4
| style="text-align:right;" | 4
| colspan="2" | Surge peak reverse voltage<br>''Пиковое обратное напряжение''
| style="text-align:center;" | V<sub>RSM</sub>
| 1000В
|-
| rowspan="2" style="text-align:right;" | 5
| rowspan="2" | Maximum average forward rectified current<br>''Максимальный усреднённый прямой ток''
| rowspan="2" | Maximum average forward rectified current<br>''Максимальный усреднённый прямой ток''
| T<sub>A</sub> = 75°C
| T<sub>A</sub> = 75°C
Строка 73: Строка 80:
| 0.8А
| 0.8А
|-
|-
| style="text-align:right;" | 5
| style="text-align:right;" | 6
| Repetitive peak forward current<br>''Повторяющийся пиковый прямой ток''
| Repetitive peak forward current<br>''Повторяющийся пиковый прямой ток''
| f > 15 Hz,<br>T<sub>A</sub> = 75°C
| f > 15 Hz,<br>T<sub>A</sub> = 75°C
Строка 79: Строка 86:
| 30А
| 30А
|-
|-
| rowspan="5" style="text-align:right;" | 6
| rowspan="5" style="text-align:right;" | 7
| rowspan="5" | Non-repetitive peak forward surge current square or half sine-wave waveform superimposed on rated load<br>''Одиночный пиковый скачок тока прямоугольной формы или формы половины синусоиды, поверх номинального тока''
| rowspan="5" | Non-repetitive peak forward surge current square or half sine-wave waveform superimposed on rated load<br>''Одиночный пиковый скачок тока прямоугольной формы или формы половины синусоиды, поверх номинального тока''
| t<sub>p</sub> = 1 ms<br>square
| t<sub>p</sub> = 1 ms<br>square
Строка 97: Строка 104:
| 27А
| 27А
|-
|-
| style="text-align:right;" | 7
| style="text-align:right;" | 8
| Maximum full load reverse current<br>''Максимальный ток обратной утечки''
| Maximum full load reverse current<br>''Максимальный ток обратной утечки''
| T<sub>L</sub> = 75°C
| T<sub>L</sub> = 75°C
Строка 103: Строка 110:
| 30мкА
| 30мкА
|-
|-
| rowspan="2" style="text-align:right;" | 8
| rowspan="2" style="text-align:right;" | 9
| rowspan="2" | Rating for fusing<br>''Номинал сверхтока''
| rowspan="2" | Rating for fusing<br>''Номинал сверхтока''
| t < 8.3 ms<br>''60 Hz half sine-wave''
| t < 8.3 ms<br>''60 Hz half sine-wave''
Строка 112: Строка 119:
| 3.6А<sup>2</sup>с
| 3.6А<sup>2</sup>с
|-
|-
| rowspan="2" style="text-align:right;" | 9
| rowspan="2" style="text-align:right;" | 10
| rowspan="2" | Operating junction and storage temperature range<br>''Пределы температуры хранения и температуры кристалла полупроводника''
| rowspan="2" | Operating junction and storage temperature range<br>''Пределы температуры хранения и температуры кристалла полупроводника''
| colspan="2" style="text-align:center;" | ''Vishay:'' T<sub>J</sub>, T<sub>STG</sub>
| colspan="2" style="text-align:center;" | ''Vishay:'' T<sub>J</sub>, T<sub>STG</sub>
Строка 123: Строка 130:
===Примечания к таблице===
===Примечания к таблице===


# '''V<sub>RPM</sub>''' — наибольшее мгновенное значение напряжения, которое допускается прикладывать к диоду в обратном направлении, включая все повторяющиеся напряжения.
# '''V<sub>RRM</sub>''' — наибольшее мгновенное значение напряжения, которое допускается прикладывать к диоду в обратном направлении, включая все повторяющиеся напряжения.
# '''V<sub>RMS</sub>''' — наибольшее длительное среднеквадратичное значение ''(RMS)'' напряжения переменного тока ''(V<sub>AC </sub>)'', приложенное к диоду в обратном направлении.
# '''V<sub>RMS</sub>''' — наибольшее длительное среднеквадратичное значение ''(RMS)'' напряжения переменного тока ''(V<sub>AC </sub>)'', приложенное к диоду в обратном направлении.
# '''V<sub>DC</sub>''' — наибольшее длительное напряжение постоянного тока ''(V<sub>DC </sub>)'', приложенное к диоду в обратном направлении.
# '''V<sub>DC</sub>''' — наибольшее длительное напряжение постоянного тока ''(V<sub>DC </sub>)'', приложенное к диоду в обратном направлении.
# '''V<sub>RSM</sub>''' — наибольшее мгновенное значение напряжения, которое допускается ''однократно'' прикладывать к диоду в обратном направлении.
# '''I<sub>F(AV)</sub>''' или '''I<sub>FAV</sub>''' — максимально допустимый прямой ток, усреднённо протекающий за длительный период времени.<p style="margin: 0 0 0 2rem; color:gray;">''Примечание: указывается при температуре корпуса/окружающей среды T<sub>A</sub> и при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления''</p>
# '''I<sub>F(AV)</sub>''' или '''I<sub>FAV</sub>''' — максимально допустимый прямой ток, усреднённо протекающий за длительный период времени.<p style="margin: 0 0 0 2rem; color:gray;">''Примечание: указывается при температуре корпуса/окружающей среды T<sub>A</sub> и при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления''</p>
# '''I<sub>FRM</sub>''' — значение предельно допустимых скачков прямого тока, повторяющихся при определённой частоте<p style="margin: 0 0 0 2rem; color:gray;">''Примечание: указывается при температуре корпуса/окружающей среды T<sub>A</sub> и при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления''</p>
# '''I<sub>FRM</sub>''' — значение предельно допустимых скачков прямого тока, повторяющихся при определённой частоте<p style="margin: 0 0 0 2rem; color:gray;">''Примечание: указывается при температуре корпуса/окружающей среды T<sub>A</sub> и при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления''</p>
Строка 178: Строка 186:


<blockquote>
<blockquote>
''Справедливо при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления'
''Справедливо при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления
</blockquote>
</blockquote>


Текущая версия от 15:26, 28 мая 2024


Схематичное изображение корпуса DO-41
Расположение на фото:
3 ряд, 5 столбец

Диод 1N4007 из линейки 1N400x. Кремниевый, выпрямительный общего применения.

Типичное применение:

  • Выпрямители напряжения
  • Диодные мосты
  • Блоки питания
  • Защита от обратной полярности

Документация

Спецификация

Параметр Значение
Семейство 1N400x
Модель 1N4007
Корпус DO-41 (DO-204AL)
Полярность Маркировка на катоде
Материал полупроводника Кремний
Материал корпуса Пластик/Эпоксидная смола
По разным данным
Безопасность воспламенения по UL 94V-0
Материал выводов Лужёная медь

Предельные электрические характеристики

Указаны при температуре 25 °C, если не указано иного.

Параметр Термин Значение
1 Maximum repetitive peak reverse voltage
Максимальное повторяющееся импульсное обратное напряжение 		VRRM 1000В
2 Maximum RMS voltage
Максимальное среднеквадратическое напряжение 		VRMS 700В
3 Maximum DC blocking voltage
Максимальное постоянное обратное напряжение 		VDC 1000В
4 Surge peak reverse voltage
Пиковое обратное напряжение 		VRSM 1000В
5 Maximum average forward rectified current
Максимальный усреднённый прямой ток 		TA = 75°C IF(AV)
или
IFAV 		1.0А
TA = 100°C 0.8А
6 Repetitive peak forward current
Повторяющийся пиковый прямой ток 		f > 15 Hz,
TA = 75°C 		IFRM 30А
7 Non-repetitive peak forward surge current square or half sine-wave waveform superimposed on rated load
Одиночный пиковый скачок тока прямоугольной формы или формы половины синусоиды, поверх номинального тока 		tp = 1 ms
square 		IFSM 45А
tp = 2 ms
square 		35А
tp = 5 ms
square 		30А
tp = 8.3 ms
60 Hz half sine-wave 		30А
tp = 10 ms
50 Hz half sine-wave 		27А
8 Maximum full load reverse current
Максимальный ток обратной утечки 		TL = 75°C IR(AV) 30мкА
9 Rating for fusing
Номинал сверхтока 		t < 8.3 ms
60 Hz half sine-wave 		I2t 3.7А2с
t < 10 ms
50 Hz half sine-wave 		3.6А2с
10 Operating junction and storage temperature range
Пределы температуры хранения и температуры кристалла полупроводника 		Vishay: TJ, TSTG -50 to +150 °C
Diotec: TJ, TS -50 to +175 °C

Примечания к таблице

  1. VRRM — наибольшее мгновенное значение напряжения, которое допускается прикладывать к диоду в обратном направлении, включая все повторяющиеся напряжения.
  2. VRMS — наибольшее длительное среднеквадратичное значение (RMS) напряжения переменного тока (VAC ), приложенное к диоду в обратном направлении.
  3. VDC — наибольшее длительное напряжение постоянного тока (VDC ), приложенное к диоду в обратном направлении.
  4. VRSM — наибольшее мгновенное значение напряжения, которое допускается однократно прикладывать к диоду в обратном направлении.
  5. IF(AV) или IFAV — максимально допустимый прямой ток, усреднённо протекающий за длительный период времени.

    Примечание: указывается при температуре корпуса/окружающей среды TA и при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления

  6. IFRM — значение предельно допустимых скачков прямого тока, повторяющихся при определённой частоте

    Примечание: указывается при температуре корпуса/окружающей среды TA и при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления

  7. IFSM — максимальное значение скачка прямого пикового тока поверх номинального тока, при указанной длине импульса прямоугольной или полу-синусообразной формы
  8. IR(AV) — максимальный ток обратной утечки pn-перехода, средний за весь период (full cycle average)

    Примечание: указывается при температуре выводов TL и при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления

  9. I2t — скорость нарастания тока (Joule-integral) (сверхтока), допустимая до физического разрушения компонента. Сверхток определяется за один период полуволны. Указывается для применения в выпрямителях и мостах.
  10. TS или TSTG — температура хранения (STG — Storage)
    TJ — температура кристалла полупроводника

    Примечание: превышение данных диапазонов чаще всего приводит к физическому разрушению кристалла полупроводника

Электрические характеристики

Указаны при температуре 25 °C, если не указано иного.

Параметр Условие Термин Значение
1 Maximum instantaneous forward voltage
Максимальное падение напряжения 		1.0А VF 1.1В
2 Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage
Максимальный ток утечки при максимальном обратном напряжении 		TA = 25 °C IR 5.0мкА
TA = 125 °C 50мкА
3 Typical junction capacitance
Типичная ёмкость перехода 		4.0 V,
1 MHz 		CJ 15пФ

Примечания к таблице

  1. VF — Максимальное падение напряжения на pn-переходе. More info

    Влияет на нагрев, так как всё падение напряжения уходит в тепловые потери

  2. IR — Максимальный постоянный ток (IDC ) обратной утечки pn-перехода, при максимальном постоянно обратном напряжении (VDC )
  3. CJ — Типичная ёмкость pn-перехода

    Влияет на максимальную частоту, которую может пропустить диод. More info

Тепловые характеристики

Справедливо при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления

По данным Vishay
Параметр Термин Значение
Typical thermal resistance
Типичное термическое сопротивление 		RθJA 50°C/Вт
RθJL 25°C/Вт


По данным Diotec
Параметр Термин Значение
Typical thermal resistance
Типичное термическое сопротивление 		RthA 45К/Вт
RthL 15К/Вт

Примечания к таблице

  1. RθJA или RthA — Типичное термическое сопротивление корпуса к окружающей среде
  2. RθJL или RthL — Типичное термическое сопротивление выводов к окружающей среде

Выдержка из оригинальной статьи:

Термическое сопротивление — тепловое сопротивление, способность тела (его поверхности или какого-либо слоя) препятствовать распространению теплового движения молекул.

Термическое/тепловое сопротивление определяет падение температуры на пути прохождения теплового потока.

Значение теплового сопротивления — разность температур горячей и холодной поверхности теплопроводящего материала к проходящему по нему тепловому потоку.

Применительно к электронике, тепловое сопротивление по своей сути является величиной, показывающей нагрев компонента в зависимости от выделяемой им мощности.

Источник — https://crazygeeks.info/index.php?title=IusKit:Диод_1N4007&oldid=142