IusKit:Диод 1N4007: различия между версиями

Материал из CrazyGeeks Wiki
(Добавление категории)
(Наполнение контентом)
Строка 1: Строка 1:
Диод 1N4007
[[Category:IusKit]]
 
[[File:DO-41_(shaded).svg|thumb|250px|right|Схематичное изображение корпуса DO-41]]
 
[[Файл:IusKit_Сред_Рассыпуха_голая_1_r1.jpg|thumb|250px|right|Расположение на фото:<br>3 ряд, 5 столбец]]
 
Диод 1N4007 из линейки 1N400''x''. Кремниевый, выпрямительный общего применения.
 
В основном используется в выпрямителях напряжения, диодных мостах, блоках питания, защите от обратной полярности.
 
==Спецификация==
 
{| class="wikitable" style="margin:auto"
! Параметр !! Значение
|-
| Семейство || 1N400''x''
|-
| Модель || 1N4007
|-
| Корпус || DO-41 ([[Wikipedia:DO-204|DO-204AL]])
|-
| Материал полупроводника || Кремний
|-
| Материал корпуса || Пластик/Эпоксидная смола<br>''По разным данным''<br>Безопасность воспламенения по [[Wikipedia:UL_94|UL 94V-0]]
|-
| Материал выводов || Лужёная медь
|}
 
==Предельные электрические характеристики==
 
{| class="wikitable" style="margin:auto"
|-
! scope="col" colspan="2"| Параметр
! scope="col"| Термин
! scope="col"| Значение
|-
| colspan="2" | Maximum repetitive peak reverse voltage<br>''Максимальное повторяющееся импульсное обратное напряжение''
| style="text-align:center;" | V<sub>RPM</sub>
| 1000В
|-
| colspan="2" | Maximum RMS voltage<br>''Максимальное (обратное) среднеквадратическое напряжение''
| style="text-align:center;" | V<sub>RMS</sub>
| 700В
|-
| colspan="2" | Maximum DC blocking voltage<br>''Максимальное постоянное обратное напряжение''
| style="text-align:center;" | V<sub>DC</sub>
| 1000В
|-
| colspan="2" | Maximum average forward rectified current 0.375" (9.5 mm) lead length at TA = 75 °C
| style="text-align:center;" | I<sub>F(AV)</sub>
| 1.0А
|-
| colspan="2" | Max. average forward rectified current, R-load T<sub>A</sub> = 100 °C<br>Valid, if leads are kept at T<sub>A</sub> at 10 mm distance from case
| style="text-align:center;" | I<sub>FAV</sub>
| 0.8А
|-
| colspan="2" | Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load
| style="text-align:center;" | I<sub>FSM</sub>
| 30А
|-
| rowspan="3" | Non-repetitive peak forward surge current square waveform TA = 25 °C (fig. 3)
| tp = 1 ms
| rowspan="3" style="text-align:center;" | I<sub>FSM</sub>
| 45А
|-
| tp = 2 ms
| 35А
|-
| tp = 5 ms
| 30А
|-
| colspan="2" | Maximum full load reverse current, full cycle average 0.375" (9.5 mm) lead length TL = 75 °C
| style="text-align:center;" | I<sub>R(AV)</sub>
| 30мкА
|-
| colspan="2" | Rating for fusing (t < 8.3 ms)<br>For device using on bridge rectifier application
| style="text-align:center;" | I<sup>2</sup>t
| 3.7А<sup>2</sup>с
|-
| colspan="2" | Rating for fusing (t < 10 ms)
| style="text-align:center;" | I<sup>2</sup>t
| 3.6А<sup>2</sup>с
|-
| colspan="2" | Operating junction and storage temperature range
| style="text-align:center;" | T<sub>J</sub>, T<sub>STG</sub><br>T<sub>J</sub>, T<sub>S</sub>
| -50 to +150 °C<br>-50 to +175 °C
|}
 
==Электрические характеристики==
 
{| class="wikitable" style="margin:auto"
|-
! scope="col"| Параметр
! scope="col"| Условия
! scope="col"| Термин
! scope="col"| Значение
|-
| Maximum instantaneous forward voltage
| style="text-align:center;" | 1.0А
| style="text-align:center;" | V<sub>F</sub>
| 1.1В
|-
| rowspan="2" | Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage
| style="text-align:center;" | T<sub>A</sub> = 25 °C
| rowspan="2" style="text-align:center;" | I<sub>R</sub>
| 5.0мкА
|-
| T<sub>A</sub> = 125 °C
| 50мкА
|-
| Typical junction capacitance
| 4.0 V, 1 MHz
| style="text-align:center;" | C<sub>J</sub>
| 15пФ
|}
 
==Тепловые характеристики==
 
{| class="wikitable" style="margin:auto"
|-
! scope="col"| Параметр
! scope="col"| Термин
! scope="col"| Значение
|-
| rowspan="2" | Typical thermal resistance
| style="text-align:center;" | R<sub>θJA</sub>
| 50°C/Вт
|-
| style="text-align:center;" | R<sub>θJL</sub>
| 25°C/Вт
|}
 
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case:
 
{| class="wikitable" style="margin:auto"
|-
! scope="col"| Параметр
! scope="col"| Термин
! scope="col"| Значение
|-
| rowspan="2" | Typical thermal resistance
| style="text-align:center;" | R<sub>thA</sub>
| 45К/Вт
|-
| style="text-align:center;" | R<sub>thL</sub>
| 15К/Вт
|}


https://www.vishay.com/docs/88503/1n4001.pdf
https://static.chipdip.ru/lib/778/DOC031778690.pdf


[[Category:IusKit]]
<blockquote>
''Статья находится в процессе редактирования''
</blockquote>

Версия от 21:04, 22 мая 2024


Схематичное изображение корпуса DO-41
Расположение на фото:
3 ряд, 5 столбец

Диод 1N4007 из линейки 1N400x. Кремниевый, выпрямительный общего применения.

В основном используется в выпрямителях напряжения, диодных мостах, блоках питания, защите от обратной полярности.

Спецификация

Параметр Значение
Семейство 1N400x
Модель 1N4007
Корпус DO-41 (DO-204AL)
Материал полупроводника Кремний
Материал корпуса Пластик/Эпоксидная смола
По разным данным
Безопасность воспламенения по UL 94V-0
Материал выводов Лужёная медь

Предельные электрические характеристики

Параметр Термин Значение
Maximum repetitive peak reverse voltage
Максимальное повторяющееся импульсное обратное напряжение 		VRPM 1000В
Maximum RMS voltage
Максимальное (обратное) среднеквадратическое напряжение 		VRMS 700В
Maximum DC blocking voltage
Максимальное постоянное обратное напряжение 		VDC 1000В
Maximum average forward rectified current 0.375" (9.5 mm) lead length at TA = 75 °C IF(AV) 1.0А
Max. average forward rectified current, R-load TA = 100 °C
Valid, if leads are kept at TA at 10 mm distance from case 		IFAV 0.8А
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load IFSM 30А
Non-repetitive peak forward surge current square waveform TA = 25 °C (fig. 3) tp = 1 ms IFSM 45А
tp = 2 ms 35А
tp = 5 ms 30А
Maximum full load reverse current, full cycle average 0.375" (9.5 mm) lead length TL = 75 °C IR(AV) 30мкА
Rating for fusing (t < 8.3 ms)
For device using on bridge rectifier application 		I2t 3.7А2с
Rating for fusing (t < 10 ms) I2t 3.6А2с
Operating junction and storage temperature range TJ, TSTG
TJ, TS 		-50 to +150 °C
-50 to +175 °C

Электрические характеристики

Параметр Условия Термин Значение
Maximum instantaneous forward voltage 1.0А VF 1.1В
Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage TA = 25 °C IR 5.0мкА
TA = 125 °C 50мкА
Typical junction capacitance 4.0 V, 1 MHz CJ 15пФ

Тепловые характеристики

Параметр Термин Значение
Typical thermal resistance RθJA 50°C/Вт
RθJL 25°C/Вт

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case:

Параметр Термин Значение
Typical thermal resistance RthA 45К/Вт
RthL 15К/Вт

https://www.vishay.com/docs/88503/1n4001.pdf https://static.chipdip.ru/lib/778/DOC031778690.pdf

Статья находится в процессе редактирования

Источник — https://crazygeeks.info/index.php?title=IusKit:Диод_1N4007&oldid=123