IusKit:Диод 1N4007
Диод 1N4007 из линейки 1N400x. Кремниевый, выпрямительный общего применения.
Типичное применение:
- Выпрямители напряжения
- Диодные мосты
- Блоки питания
- Защита от обратной полярности
Документация
Спецификация
Параметр | Значение |
---|---|
Семейство | 1N400x |
Модель | 1N4007 |
Корпус | DO-41 (DO-204AL) |
Полярность | Маркировка на катоде |
Материал полупроводника | Кремний |
Материал корпуса | Пластик/Эпоксидная смола По разным данным Безопасность воспламенения по UL 94V-0 |
Материал выводов | Лужёная медь |
Предельные электрические характеристики
Указаны при температуре 25 °C, если не указано иного.
Параметр | Термин | Значение | ||
---|---|---|---|---|
1 | Maximum repetitive peak reverse voltage Максимальное повторяющееся импульсное обратное напряжение |
VRRM | 1000В | |
2 | Maximum RMS voltage Максимальное среднеквадратическое напряжение |
VRMS | 700В | |
3 | Maximum DC blocking voltage Максимальное постоянное обратное напряжение |
VDC | 1000В | |
4 | Surge peak reverse voltage Пиковое обратное напряжение |
VRSM | 1000В | |
5 | Maximum average forward rectified current Максимальный усреднённый прямой ток |
TA = 75°C | IF(AV) или IFAV |
1.0А |
TA = 100°C | 0.8А | |||
6 | Repetitive peak forward current Повторяющийся пиковый прямой ток |
f > 15 Hz, TA = 75°C |
IFRM | 30А |
7 | Non-repetitive peak forward surge current square or half sine-wave waveform superimposed on rated load Одиночный пиковый скачок тока прямоугольной формы или формы половины синусоиды, поверх номинального тока |
tp = 1 ms square |
IFSM | 45А |
tp = 2 ms square |
35А | |||
tp = 5 ms square |
30А | |||
tp = 8.3 ms 60 Hz half sine-wave |
30А | |||
tp = 10 ms 50 Hz half sine-wave |
27А | |||
8 | Maximum full load reverse current Максимальный ток обратной утечки |
TL = 75°C | IR(AV) | 30мкА |
9 | Rating for fusing Номинал сверхтока |
t < 8.3 ms 60 Hz half sine-wave |
I2t | 3.7А2с |
t < 10 ms 50 Hz half sine-wave |
3.6А2с | |||
10 | Operating junction and storage temperature range Пределы температуры хранения и температуры кристалла полупроводника |
Vishay: TJ, TSTG | -50 to +150 °C | |
Diotec: TJ, TS | -50 to +175 °C |
Примечания к таблице
- VRRM — наибольшее мгновенное значение напряжения, которое допускается прикладывать к диоду в обратном направлении, включая все повторяющиеся напряжения.
- VRMS — наибольшее длительное среднеквадратичное значение (RMS) напряжения переменного тока (VAC ), приложенное к диоду в обратном направлении.
- VDC — наибольшее длительное напряжение постоянного тока (VDC ), приложенное к диоду в обратном направлении.
- VRSM — наибольшее мгновенное значение напряжения, которое допускается однократно прикладывать к диоду в обратном направлении.
- IF(AV) или IFAV — максимально допустимый прямой ток, усреднённо протекающий за длительный период времени.
Примечание: указывается при температуре корпуса/окружающей среды TA и при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления
- IFRM — значение предельно допустимых скачков прямого тока, повторяющихся при определённой частоте
Примечание: указывается при температуре корпуса/окружающей среды TA и при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления
- IFSM — максимальное значение скачка прямого пикового тока поверх номинального тока, при указанной длине импульса прямоугольной или полу-синусообразной формы
- IR(AV) — максимальный ток обратной утечки pn-перехода, средний за весь период (full cycle average)
Примечание: указывается при температуре выводов TL и при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления
- I2t — скорость нарастания тока (Joule-integral) (сверхтока), допустимая до физического разрушения компонента. Сверхток определяется за один период полуволны. Указывается для применения в выпрямителях и мостах.
- TS или TSTG — температура хранения (STG — Storage)
TJ — температура кристалла полупроводникаПримечание: превышение данных диапазонов чаще всего приводит к физическому разрушению кристалла полупроводника
Электрические характеристики
Указаны при температуре 25 °C, если не указано иного.
Параметр | Условие | Термин | Значение | |
---|---|---|---|---|
1 | Maximum instantaneous forward voltage Максимальное падение напряжения |
1.0А | VF | 1.1В |
2 | Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage Максимальный ток утечки при максимальном обратном напряжении |
TA = 25 °C | IR | 5.0мкА |
TA = 125 °C | 50мкА | |||
3 | Typical junction capacitance Типичная ёмкость перехода |
4.0 V, 1 MHz |
CJ | 15пФ |
Примечания к таблице
- VF — Максимальное падение напряжения на pn-переходе. More info
Влияет на нагрев, так как всё падение напряжения уходит в тепловые потери
- IR — Максимальный постоянный ток (IDC ) обратной утечки pn-перехода, при максимальном постоянно обратном напряжении (VDC )
- CJ — Типичная ёмкость pn-перехода
Влияет на максимальную частоту, которую может пропустить диод. More info
Тепловые характеристики
Справедливо при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления'
Параметр | Термин | Значение |
---|---|---|
Typical thermal resistance Типичное термическое сопротивление |
RθJA | 50°C/Вт |
RθJL | 25°C/Вт |
Параметр | Термин | Значение |
---|---|---|
Typical thermal resistance Типичное термическое сопротивление |
RthA | 45К/Вт |
RthL | 15К/Вт |
Примечания к таблице
- RθJA или RthA — Типичное термическое сопротивление корпуса к окружающей среде
- RθJL или RthL — Типичное термическое сопротивление выводов к окружающей среде
Выдержка из оригинальной статьи:
Термическое сопротивление — тепловое сопротивление, способность тела (его поверхности или какого-либо слоя) препятствовать распространению теплового движения молекул.
Термическое/тепловое сопротивление определяет падение температуры на пути прохождения теплового потока.
Значение теплового сопротивления — разность температур горячей и холодной поверхности теплопроводящего материала к проходящему по нему тепловому потоку.
Применительно к электронике, тепловое сопротивление по своей сути является величиной, показывающей нагрев компонента в зависимости от выделяемой им мощности.