IusKit:Диод 1N4007

Схематичное изображение корпуса DO-41

Расположение на фото:
3 ряд, 5 столбец

Диод 1N4007 из линейки 1N400x. Кремниевый, выпрямительный общего применения.

Типичное применение:

• Выпрямители напряжения
• Диодные мосты
• Блоки питания
• Защита от обратной полярности

Документация

• Datasheet_Diotec_1n400x.pdf
• Datasheet_Vishay_1n400x.pdf

Спецификация

Параметр	Значение
Семейство	1N400x
Модель	1N4007
Корпус	DO-41 (DO-204AL)
Материал полупроводника	Кремний
Материал корпуса	Пластик/Эпоксидная смола По разным данным Безопасность воспламенения по UL 94V-0
Материал выводов	Лужёная медь

Предельные электрические характеристики

Указаны при температуре 25 °C, если не указано иного.

	Параметр		Термин	Значение
1	Maximum repetitive peak reverse voltage Максимальное повторяющееся импульсное обратное напряжение		VRPM	1000В
2	Maximum RMS voltage Максимальное среднеквадратическое напряжение		VRMS	700В
3	Maximum DC blocking voltage Максимальное постоянное обратное напряжение		VDC	1000В
4	Maximum average forward rectified current Максимальный усреднённый прямой ток	TA = 75°C	IF(AV) или IFAV	1.0А
		TA = 100°C		0.8А
5	Repetitive peak forward current Повторяющийся пиковый прямой ток	f > 15 Hz, TA = 75°C	IFRM	30А
6	Non-repetitive peak forward surge current square or half sine-wave waveform superimposed on rated load Одиночный пиковый скачок тока прямоугольной формы или формы половины синусоиды, поверх номинального тока	tp = 1 ms square	IFSM	45А
		tp = 2 ms square		35А
		tp = 5 ms square		30А
		tp = 8.3 ms 60 Hz half sine-wave		30А
		tp = 10 ms 50 Hz half sine-wave		27А
7	Maximum full load reverse current Максимальный ток обратной утечки	TL = 75°C	IR(AV)	30мкА
8	Rating for fusing Номинал сверхтока	t < 8.3 ms 60 Hz half sine-wave	I2t	3.7А2с
		t < 10 ms 50 Hz half sine-wave		3.6А2с
9	Operating junction and storage temperature range Пределы температуры хранения и температуры кристалла полупроводника	Vishay: TJ, TSTG		-50 to +150 °C
		Diotec: TJ, TS		-50 to +175 °C

Примечания к таблице

1. V_RPM — наибольшее мгновенное значение напряжения, которое допускается прикладывать к диоду в обратном направлении, включая все повторяющиеся напряжения.
2. V_RMS — наибольшее длительное среднеквадратичное значение (RMS) напряжения переменного тока (V_AC ), приложенное к диоду в обратном направлении.
3. V_DC — наибольшее длительное напряжение постоянного тока (V_DC ), приложенное к диоду в обратном направлении.
4. I_F(AV) или I_FAV — максимально допустимый прямой ток, усреднённо протекающий за длительный период времени.

   Примечание: указывается при температуре корпуса/окружающей среды T_A и при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления

5. I_FRM — значение предельно допустимых скачков прямого тока, повторяющихся при определённой частоте

   Примечание: указывается при температуре корпуса/окружающей среды T_A и при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления

6. I_FSM — максимальное значение скачка прямого пикового тока поверх номинального тока, при указанной длине импульса прямоугольной или полу-синусообразной формы
7. I_R(AV) — максимальный ток обратной утечки pn-перехода, средний за весь период (full cycle average)

   Примечание: указывается при температуре выводов T_L и при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления

8. I²t — скорость нарастания тока (Joule-integral) (сверхтока), допустимая до физического разрушения компонента. Сверхток определяется за один период полуволны. Указывается для применения в выпрямителях и мостах.
9. T_S или T_STG — температура хранения (STG — Storage)
   T_J — температура кристалла полупроводника

   Примечание: превышение данных диапазонов чаще всего приводит к физическому разрушению кристалла полупроводника

Электрические характеристики

Указаны при температуре 25 °C, если не указано иного.

	Параметр	Условие	Термин	Значение
1	Maximum instantaneous forward voltage Максимальное падение напряжения	1.0А	VF	1.1В
2	Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage Максимальный ток утечки при максимальном обратном напряжении	TA = 25 °C	IR	5.0мкА
		TA = 125 °C		50мкА
3	Typical junction capacitance Типичная ёмкость перехода	4.0 V, 1 MHz	CJ	15пФ

Примечания к таблице

1. V_F — Максимальное падение напряжения на pn-переходе. More info

   Влияет на нагрев, так как всё падение напряжения уходит в тепловые потери

2. I_R — Максимальный постоянный ток (I_DC ) обратной утечки pn-перехода, при максимальном постоянно обратном напряжении (V_DC )
3. C_J — Типичная ёмкость pn-перехода

   Влияет на максимальную частоту, которую может пропустить диод. More info

Тепловые характеристики

Справедливо при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления'

По данным Vishay

Параметр	Термин	Значение
Typical thermal resistance Типичное термическое сопротивление	RθJA	50°C/Вт
	RθJL	25°C/Вт

По данным Diotec

Параметр	Термин	Значение
Typical thermal resistance Типичное термическое сопротивление	RthA	45К/Вт
	RthL	15К/Вт

Примечания к таблице

1. R_θJA или R_thA — Типичное термическое сопротивление корпуса к окружающей среде
2. R_θJL или R_thL — Типичное термическое сопротивление выводов к окружающей среде

Выдержка из оригинальной статьи:

Термическое сопротивление — тепловое сопротивление, способность тела (его поверхности или какого-либо слоя) препятствовать распространению теплового движения молекул.

Термическое/тепловое сопротивление определяет падение температуры на пути прохождения теплового потока.

Значение теплового сопротивления — разность температур горячей и холодной поверхности теплопроводящего материала к проходящему по нему тепловому потоку.

Применительно к электронике, тепловое сопротивление по своей сути является величиной, показывающей нагрев компонента в зависимости от выделяемой им мощности.