IusKit:Диод 1N5819

Схематичное изображение корпуса DO-41

Расположение на фото:
3 ряд, 5 столбец

Диод Шоттки 1N5819 из линейки 1N581x. Кремниевый, с барьером Шоттки, выпрямительный общего применения.

Типичное применение:

• Низковольтные высокочастотные инверторы
• Импульсные источники питания
• DC-DC преобразователи
• Freewheeling diode / Flyback diode. More info
• Защита от обратной полярности

Документация

• Datasheet_Diodes_1n581x.pdf
• Datasheet_OnSemi_1n581x.pdf
• Datasheet_ST_1n581x.pdf
• Datasheet_Vishay_1n581x.pdf

Спецификация

Параметр	Значение
Семейство	1N581x
Модель	1N5819
Корпус	DO-41 (DO-204AL)
Полярность	Маркировка на катоде
Материал полупроводника	Кремний
Материал корпуса	Пластик/Эпоксидная смола По разным данным Безопасность воспламенения по UL 94V-0
Материал выводов	Лужёная медь

Предельные электрические характеристики

Указаны при температуре 25 °C, если не указано иного.

	Параметр		Термин	Значение
1	Maximum repetitive peak reverse voltage Максимальное повторяющееся импульсное обратное напряжение		VRRM	40В
	Working Peak Reverse Voltage Рабочее пиковое обратное напряжение		VRWM
2	Maximum RMS voltage Максимальное среднеквадратическое напряжение		VR(RMS)	28В
3	Maximum DC blocking voltage Максимальное постоянное обратное напряжение		VDC	40В
4	Maximum non-repetitive peak reverse voltage Пиковое обратное напряжение		VRSM	48В
5	Maximum average forward rectified current Максимальный усреднённый прямой ток	TL = 90°C	IF(AV) или IO	1.0А
6	Repetitive peak forward current Повторяющийся пиковый прямой ток		IFRM	N/A
	Repetitive peak avalanche power Повторяющаяся пиковая лавинная мощность	tp = 1 µs	PARM	900Вт
7	Non-repetitive peak forward surge current square or half sine-wave waveform superimposed on rated load Одиночный пиковый скачок тока прямоугольной формы или формы половины синусоиды, поверх номинального тока	tp = 1 ms square	IFSM	N/A
		tp = 2 ms square		N/A
		tp = 5 ms square		N/A
		tp = 8.3 ms 60 Hz half sine-wave		25А
		tp = 10 ms 50 Hz half sine-wave		25А
8	Maximum full load reverse current Максимальный ток обратной утечки		IR(AV)	N/A
9	Rating for fusing Номинал сверхтока		I2t	N/A
	Voltage rate of change (rated VR) Скорость нарастания обратного напряжения		dV/dt	10 000 В/мкс
10	Ambient Temperature Температура окружающей среды	OnSemi	TA	75 °C
	Maximum Operating Junction Temperature Максимальная рабочая температура кристалла полупроводника	Diodes	TJ	+125 °C
		OnSemi
		Vishay
		ST		+150 °C
	Peak Operating Junction Temperature (Forward Current applied) Пиковая максимальная рабочая температура	OnSemi	TJ(pk)	+150 °C
	Storage temperature range Пределы температуры хранения компонента	Diodes	TSTG	-65 to +125 °C
		OnSemi
		Vishay
		ST		-65 to +150 °C

Примечания к таблице

1. V_RRM — наибольшее мгновенное значение напряжения, которое допускается прикладывать к диоду в обратном направлении, включая все повторяющиеся напряжения.
2. V_RMS — наибольшее длительное среднеквадратичное значение (RMS) напряжения переменного тока (V_AC ), приложенное к диоду в обратном направлении.
3. V_DC — наибольшее длительное напряжение постоянного тока (V_DC ), приложенное к диоду в обратном направлении.
4. V_RSM — наибольшее мгновенное значение напряжения, которое допускается однократно прикладывать к диоду в обратном направлении.
5. I_F(AV) или I_O — максимально допустимый прямой ток, усреднённо протекающий за длительный период времени.

   Примечание: указывается при температуре выводов T_L и при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления

6. I_FRM — значение предельно допустимых скачков прямого тока, повторяющихся при определённой частоте

   Примечание: для данного семейства диода не указано

   P_ARM — значение лавинной (пиковой ударной) мощности, которую кристалл диода может выдержать без физического разрушения. More info

   Примечание: приводится при указанной длительности ударного импульса, при температуре кристалла T_j = 25°C

7. I_FSM — максимальное значение скачка прямого пикового тока поверх номинального тока, при указанной длине импульса прямоугольной или полу-синусообразной формы
8. I_R(AV) — максимальный ток обратной утечки pn-перехода, средний за весь период (full cycle average)

   Примечание: для данного семейства диода не указано

9. I²t — скорость нарастания тока (Joule-integral) (сверхтока), допустимая до физического разрушения компонента

   Примечание: для данного семейства диода не указано

   dV/dt — предельно допустимая скорость увеличения напряжения, прикладываемое к диоду в обратном направлении
10. T_A — максимально допустимая температура окружающей среды
    T_J — максимально допустимая рабочая температура кристалла полупроводника
    T_J(pk) — пиковая максимально допустимая рабочая температура кристалла полупроводника при прямо проходящем токе
    T_S или T_STG — температура хранения (STG — Storage)
    

    Примечание: превышение данных диапазонов чаще всего приводит к физическому разрушению кристалла полупроводника

Электрические характеристики

Указаны при температуре 25 °C, если не указано иного.
Для напряжения и тока значения исследованы при подаче импульса длиной 380 мкс, скважностью < 2%.

	Параметр	Условие	Термин	Значение
1	Maximum instantaneous forward voltage Максимальное падение напряжения	IF = 0.1А	VF или VFM	0.34В
		IF = 1.0А		0.60В
		IF = 3.0А		0.90В
2	Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage Максимальный ток утечки при максимальном обратном напряжении	TA = 25 °C	IR	1.0мА
		TA = 125 °C		10мА
3	Typical junction capacitance Типичная ёмкость перехода	4.0 V, 1 MHz	CJ	110пФ

Примечания к таблице

1. V_F или V_FM — Максимальное падение напряжения на pn-переходе. More info

   Влияет на нагрев, так как всё падение напряжения уходит в тепловые потери

2. I_R — Максимальный постоянный ток (I_DC ) обратной утечки pn-перехода, при максимальном постоянно обратном напряжении (V_DC )
3. C_J — Типичная ёмкость pn-перехода

   Влияет на максимальную частоту, которую может пропустить диод. More info

Тепловые характеристики

Справедливо при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления

Параметр	Вендор	Термин	Значение
Typical thermal resistance Типичное термическое сопротивление	Diodes	RθJA	50°C/Вт
		RθJL	15°C/Вт
	OnSemi	RθJA	80°C/Вт
		RθJL	N/A
	Vishay	RθJA	50°C/Вт
		RθJL	15°C/Вт
	ST	RthJ	100°C/Вт
		RthL	45°C/Вт

Примечания к таблице

1. R_θJA или R_thA — Типичное термическое сопротивление корпуса к окружающей среде
2. R_θJL или R_thL — Типичное термическое сопротивление выводов к окружающей среде

Выдержка из оригинальной статьи:

Термическое сопротивление — тепловое сопротивление, способность тела (его поверхности или какого-либо слоя) препятствовать распространению теплового движения молекул.

Термическое/тепловое сопротивление определяет падение температуры на пути прохождения теплового потока.

Значение теплового сопротивления — разность температур горячей и холодной поверхности теплопроводящего материала к проходящему по нему тепловому потоку.

Применительно к электронике, тепловое сопротивление по своей сути является величиной, показывающей нагрев компонента в зависимости от выделяемой им мощности.