IusKit:Диод 1N5819
.svg)
3 ряд, 5 столбец
Диод Шоттки 1N5819 из линейки 1N581x. Кремниевый, с барьером Шоттки, выпрямительный общего применения.
Типичное применение:
- Низковольтные высокочастотные инверторы
- Импульсные источники питания
- DC-DC преобразователи
- Freewheeling diode / Flyback diode. More info
- Защита от обратной полярности
Документация
Спецификация
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Семейство | 1N581x |
| Модель | 1N5819 |
| Корпус | DO-41 (DO-204AL) |
| Полярность | Маркировка на катоде |
| Материал полупроводника | Кремний |
| Материал корпуса | Пластик/Эпоксидная смола По разным данным Безопасность воспламенения по UL 94V-0 |
| Материал выводов | Лужёная медь |
Предельные электрические характеристики
Указаны при температуре 25 °C, если не указано иного.
| Параметр | Термин | Значение | ||
|---|---|---|---|---|
| 1 | Maximum repetitive peak reverse voltage Максимальное повторяющееся импульсное обратное напряжение |
VRRM | 40В | |
| Working Peak Reverse Voltage Рабочее пиковое обратное напряжение |
VRWM | |||
| 2 | Maximum RMS voltage Максимальное среднеквадратическое напряжение |
VR(RMS) | 28В | |
| 3 | Maximum DC blocking voltage Максимальное постоянное обратное напряжение |
VDC | 40В | |
| 4 | Maximum non-repetitive peak reverse voltage Пиковое обратное напряжение |
VRSM | 48В | |
| 5 | Maximum average forward rectified current Максимальный усреднённый прямой ток |
TL = 90°C | IF(AV) или IO |
1.0А |
| 6 | Repetitive peak forward current Повторяющийся пиковый прямой ток |
IFRM | N/A | |
| Repetitive peak avalanche power Повторяющаяся пиковая лавинная мощность |
tp = 1 µs | PARM | 900Вт | |
| 7 | Non-repetitive peak forward surge current square or half sine-wave waveform superimposed on rated load Одиночный пиковый скачок тока прямоугольной формы или формы половины синусоиды, поверх номинального тока |
tp = 1 ms square |
IFSM | N/A |
| tp = 2 ms square |
N/A | |||
| tp = 5 ms square |
N/A | |||
| tp = 8.3 ms 60 Hz half sine-wave |
25А | |||
| tp = 10 ms 50 Hz half sine-wave |
25А | |||
| 8 | Maximum full load reverse current Максимальный ток обратной утечки |
IR(AV) | N/A | |
| 9 | Rating for fusing Номинал сверхтока |
I2t | N/A | |
| Voltage rate of change (rated VR) Скорость нарастания обратного напряжения |
dV/dt | 10 000 В/мкс | ||
| 10 | Ambient Temperature Температура окружающей среды |
OnSemi | TA | 75 °C |
| Maximum Operating Junction Temperature Максимальная рабочая температура кристалла полупроводника |
Diodes | TJ | +125 °C | |
| OnSemi | ||||
| Vishay | ||||
| ST | +150 °C | |||
| Peak Operating Junction Temperature (Forward Current applied) Пиковая максимальная рабочая температура |
OnSemi | TJ(pk) | +150 °C | |
| Storage temperature range Пределы температуры хранения компонента |
Diodes | TSTG | -65 to +125 °C | |
| OnSemi | ||||
| Vishay | ||||
| ST | -65 to +150 °C | |||
Примечания к таблице
- VRRM — наибольшее мгновенное значение напряжения, которое допускается прикладывать к диоду в обратном направлении, включая все повторяющиеся напряжения.
- VRMS — наибольшее длительное среднеквадратичное значение (RMS) напряжения переменного тока (VAC ), приложенное к диоду в обратном направлении.
- VDC — наибольшее длительное напряжение постоянного тока (VDC ), приложенное к диоду в обратном направлении.
- VRSM — наибольшее мгновенное значение напряжения, которое допускается однократно прикладывать к диоду в обратном направлении.
- IF(AV) или IO — максимально допустимый прямой ток, усреднённо протекающий за длительный период времени.
Примечание: указывается при температуре выводов TL и при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления
- IFRM — значение предельно допустимых скачков прямого тока, повторяющихся при определённой частоте
Примечание: для данного семейства диода не указано
PARM — значение лавинной (пиковой ударной) мощности, которую кристалл диода может выдержать без физического разрушения. More infoПримечание: приводится при указанной длительности ударного импульса, при температуре кристалла Tj = 25°C
- IFSM — максимальное значение скачка прямого пикового тока поверх номинального тока, при указанной длине импульса прямоугольной или полу-синусообразной формы
- IR(AV) — максимальный ток обратной утечки pn-перехода, средний за весь период (full cycle average)
Примечание: для данного семейства диода не указано
- I2t — скорость нарастания тока (Joule-integral) (сверхтока), допустимая до физического разрушения компонента
Примечание: для данного семейства диода не указано
dV/dt — предельно допустимая скорость увеличения напряжения, прикладываемое к диоду в обратном направлении - TA — максимально допустимая температура окружающей среды
TJ — максимально допустимая рабочая температура кристалла полупроводника
TJ(pk) — пиковая максимально допустимая рабочая температура кристалла полупроводника при прямо проходящем токе
TS или TSTG — температура хранения (STG — Storage)Примечание: превышение данных диапазонов чаще всего приводит к физическому разрушению кристалла полупроводника
Электрические характеристики
Указаны при температуре 25 °C, если не указано иного.
Для напряжения и тока значения исследованы при подаче импульса длиной 380 мкс, скважностью < 2%.
| Параметр | Условие | Термин | Значение | |
|---|---|---|---|---|
| 1 | Maximum instantaneous forward voltage Максимальное падение напряжения |
IF = 0.1А | VF или VFM |
0.34В |
| IF = 1.0А | 0.60В | |||
| IF = 3.0А | 0.90В | |||
| 2 | Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage Максимальный ток утечки при максимальном обратном напряжении |
TA = 25 °C | IR | 1.0мА |
| TA = 125 °C | 10мА | |||
| 3 | Typical junction capacitance Типичная ёмкость перехода |
4.0 V, 1 MHz |
CJ | 110пФ |
Примечания к таблице
- VF или VFM — Максимальное падение напряжения на pn-переходе. More info
Влияет на нагрев, так как всё падение напряжения уходит в тепловые потери
- IR — Максимальный постоянный ток (IDC ) обратной утечки pn-перехода, при максимальном постоянно обратном напряжении (VDC )
- CJ — Типичная ёмкость pn-перехода
Влияет на максимальную частоту, которую может пропустить диод. More info
Тепловые характеристики
Справедливо при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления
| Параметр | Вендор | Термин | Значение |
|---|---|---|---|
| Typical thermal resistance Типичное термическое сопротивление |
Diodes | RθJA | 50°C/Вт |
| RθJL | 15°C/Вт | ||
| OnSemi | RθJA | 80°C/Вт | |
| RθJL | N/A | ||
| Vishay | RθJA | 50°C/Вт | |
| RθJL | 15°C/Вт | ||
| ST | RthJ | 100°C/Вт | |
| RthL | 45°C/Вт |
Примечания к таблице
- RθJA или RthA — Типичное термическое сопротивление корпуса к окружающей среде
- RθJL или RthL — Типичное термическое сопротивление выводов к окружающей среде
Выдержка из оригинальной статьи:
Термическое сопротивление — тепловое сопротивление, способность тела (его поверхности или какого-либо слоя) препятствовать распространению теплового движения молекул.
Термическое/тепловое сопротивление определяет падение температуры на пути прохождения теплового потока.
Значение теплового сопротивления — разность температур горячей и холодной поверхности теплопроводящего материала к проходящему по нему тепловому потоку.
Применительно к электронике, тепловое сопротивление по своей сути является величиной, показывающей нагрев компонента в зависимости от выделяемой им мощности.