147
правок
IusKit:Диод 1N4007: различия между версиями
Правка таблицы
Dm sem (обсуждение | вклад) (Поправка, добавление значений) |
Dm sem (обсуждение | вклад) (Правка таблицы) |
||
| Строка 51: | Строка 51: | ||
! scope="col" | Значение | ! scope="col" | Значение | ||
|- | |- | ||
| | | style="text-align:right;" | 1 | ||
| colspan="2" | Maximum repetitive peak reverse voltage<br>''Максимальное повторяющееся импульсное обратное напряжение'' | | colspan="2" | Maximum repetitive peak reverse voltage<br>''Максимальное повторяющееся импульсное обратное напряжение'' | ||
| style="text-align:center;" | V<sub>RRM</sub> | | style="text-align:center;" | V<sub>RRM</sub> | ||
| 1000В | | 1000В | ||
|- | |- | ||
| Строка 70: | Строка 66: | ||
| 1000В | | 1000В | ||
|- | |- | ||
| rowspan="2" style="text-align:right;" | | | style="text-align:right;" | 4 | ||
| colspan="2" | Surge peak reverse voltage<br>''Пиковое обратное напряжение'' | |||
| style="text-align:center;" | V<sub>RSM</sub> | |||
| 1000В | |||
|- | |||
| rowspan="2" style="text-align:right;" | 5 | |||
| rowspan="2" | Maximum average forward rectified current<br>''Максимальный усреднённый прямой ток'' | | rowspan="2" | Maximum average forward rectified current<br>''Максимальный усреднённый прямой ток'' | ||
| T<sub>A</sub> = 75°C | | T<sub>A</sub> = 75°C | ||
| Строка 79: | Строка 80: | ||
| 0.8А | | 0.8А | ||
|- | |- | ||
| style="text-align:right;" | | | style="text-align:right;" | 6 | ||
| Repetitive peak forward current<br>''Повторяющийся пиковый прямой ток'' | | Repetitive peak forward current<br>''Повторяющийся пиковый прямой ток'' | ||
| f > 15 Hz,<br>T<sub>A</sub> = 75°C | | f > 15 Hz,<br>T<sub>A</sub> = 75°C | ||
| Строка 85: | Строка 86: | ||
| 30А | | 30А | ||
|- | |- | ||
| rowspan="5" style="text-align:right;" | | | rowspan="5" style="text-align:right;" | 7 | ||
| rowspan="5" | Non-repetitive peak forward surge current square or half sine-wave waveform superimposed on rated load<br>''Одиночный пиковый скачок тока прямоугольной формы или формы половины синусоиды, поверх номинального тока'' | | rowspan="5" | Non-repetitive peak forward surge current square or half sine-wave waveform superimposed on rated load<br>''Одиночный пиковый скачок тока прямоугольной формы или формы половины синусоиды, поверх номинального тока'' | ||
| t<sub>p</sub> = 1 ms<br>square | | t<sub>p</sub> = 1 ms<br>square | ||
| Строка 103: | Строка 104: | ||
| 27А | | 27А | ||
|- | |- | ||
| style="text-align:right;" | | | style="text-align:right;" | 8 | ||
| Maximum full load reverse current<br>''Максимальный ток обратной утечки'' | | Maximum full load reverse current<br>''Максимальный ток обратной утечки'' | ||
| T<sub>L</sub> = 75°C | | T<sub>L</sub> = 75°C | ||
| Строка 109: | Строка 110: | ||
| 30мкА | | 30мкА | ||
|- | |- | ||
| rowspan="2" style="text-align:right;" | | | rowspan="2" style="text-align:right;" | 9 | ||
| rowspan="2" | Rating for fusing<br>''Номинал сверхтока'' | | rowspan="2" | Rating for fusing<br>''Номинал сверхтока'' | ||
| t < 8.3 ms<br>''60 Hz half sine-wave'' | | t < 8.3 ms<br>''60 Hz half sine-wave'' | ||
| Строка 118: | Строка 119: | ||
| 3.6А<sup>2</sup>с | | 3.6А<sup>2</sup>с | ||
|- | |- | ||
| rowspan="2" style="text-align:right;" | | | rowspan="2" style="text-align:right;" | 10 | ||
| rowspan="2" | Operating junction and storage temperature range<br>''Пределы температуры хранения и температуры кристалла полупроводника'' | | rowspan="2" | Operating junction and storage temperature range<br>''Пределы температуры хранения и температуры кристалла полупроводника'' | ||
| colspan="2" style="text-align:center;" | ''Vishay:'' T<sub>J</sub>, T<sub>STG</sub> | | colspan="2" style="text-align:center;" | ''Vishay:'' T<sub>J</sub>, T<sub>STG</sub> | ||
| Строка 129: | Строка 130: | ||
===Примечания к таблице=== | ===Примечания к таблице=== | ||
# '''V<sub>RRM | # '''V<sub>RRM</sub>''' — наибольшее мгновенное значение напряжения, которое допускается прикладывать к диоду в обратном направлении, включая все повторяющиеся напряжения. | ||
# '''V<sub>RMS</sub>''' — наибольшее длительное среднеквадратичное значение ''(RMS)'' напряжения переменного тока ''(V<sub>AC </sub>)'', приложенное к диоду в обратном направлении. | # '''V<sub>RMS</sub>''' — наибольшее длительное среднеквадратичное значение ''(RMS)'' напряжения переменного тока ''(V<sub>AC </sub>)'', приложенное к диоду в обратном направлении. | ||
# '''V<sub>DC</sub>''' — наибольшее длительное напряжение постоянного тока ''(V<sub>DC </sub>)'', приложенное к диоду в обратном направлении. | # '''V<sub>DC</sub>''' — наибольшее длительное напряжение постоянного тока ''(V<sub>DC </sub>)'', приложенное к диоду в обратном направлении. | ||
# '''V<sub>RSM</sub>''' — наибольшее мгновенное значение напряжения, которое допускается ''однократно'' прикладывать к диоду в обратном направлении. | |||
# '''I<sub>F(AV)</sub>''' или '''I<sub>FAV</sub>''' — максимально допустимый прямой ток, усреднённо протекающий за длительный период времени.<p style="margin: 0 0 0 2rem; color:gray;">''Примечание: указывается при температуре корпуса/окружающей среды T<sub>A</sub> и при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления''</p> | # '''I<sub>F(AV)</sub>''' или '''I<sub>FAV</sub>''' — максимально допустимый прямой ток, усреднённо протекающий за длительный период времени.<p style="margin: 0 0 0 2rem; color:gray;">''Примечание: указывается при температуре корпуса/окружающей среды T<sub>A</sub> и при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления''</p> | ||
# '''I<sub>FRM</sub>''' — значение предельно допустимых скачков прямого тока, повторяющихся при определённой частоте<p style="margin: 0 0 0 2rem; color:gray;">''Примечание: указывается при температуре корпуса/окружающей среды T<sub>A</sub> и при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления''</p> | # '''I<sub>FRM</sub>''' — значение предельно допустимых скачков прямого тока, повторяющихся при определённой частоте<p style="margin: 0 0 0 2rem; color:gray;">''Примечание: указывается при температуре корпуса/окружающей среды T<sub>A</sub> и при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления''</p> | ||