IusKit:Диод 1N4007: различия между версиями

IusKit:Диод 1N4007 (посмотреть исходный код)

Версия от 21:04, 22 мая 2024

5133 байта добавлено , 22 май

Наполнение контентом

Dm sem

Бюрократы, Администраторы интерфейса, Администраторы

147

правок

@@ Строка 1: / Строка 1: @@
-Диод 1N4007
+[[Category:IusKit]]
+[[File:DO-41_(shaded).svg|thumb|250px|right|Схематичное изображение корпуса DO-41]]
+[[Файл:IusKit_Сред_Рассыпуха_голая_1_r1.jpg|thumb|250px|right|Расположение на фото:<br>3 ряд, 5 столбец]]
+Диод 1N4007 из линейки 1N400''x''. Кремниевый, выпрямительный общего применения.
+В основном используется в выпрямителях напряжения, диодных мостах, блоках питания, защите от обратной полярности.
+==Спецификация==
+{| class="wikitable" style="margin:auto"
+! Параметр !! Значение
+|-
+| Семейство || 1N400''x''
+|-
+| Модель || 1N4007
+|-
+| Корпус || DO-41 ([[Wikipedia:DO-204|DO-204AL]])
+|-
+| Материал полупроводника || Кремний
+|-
+| Материал корпуса || Пластик/Эпоксидная смола<br>''По разным данным''<br>Безопасность воспламенения по [[Wikipedia:UL_94|UL 94V-0]]
+|-
+| Материал выводов || Лужёная медь
+|}
+==Предельные электрические характеристики==
+{| class="wikitable" style="margin:auto"
+|-
+! scope="col" colspan="2"| Параметр
+! scope="col"| Термин
+! scope="col"| Значение
+|-
+| colspan="2" | Maximum repetitive peak reverse voltage<br>''Максимальное повторяющееся импульсное обратное напряжение''
+| style="text-align:center;" | V<sub>RPM</sub>
+| 1000В
+|-
+| colspan="2" | Maximum RMS voltage<br>''Максимальное (обратное) среднеквадратическое напряжение''
+| style="text-align:center;" | V<sub>RMS</sub>
+| 700В
+|-
+| colspan="2" | Maximum DC blocking voltage<br>''Максимальное постоянное обратное напряжение''
+| style="text-align:center;" | V<sub>DC</sub>
+| 1000В
+|-
+| colspan="2" | Maximum average forward rectified current 0.375" (9.5 mm) lead length at TA = 75 °C
+| style="text-align:center;" | I<sub>F(AV)</sub>
+| 1.0А
+|-
+| colspan="2" | Max. average forward rectified current, R-load T<sub>A</sub> = 100 °C<br>Valid, if leads are kept at T<sub>A</sub> at 10 mm distance from case
+| style="text-align:center;" | I<sub>FAV</sub>
+| 0.8А
+|-
+| colspan="2" | Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load
+| style="text-align:center;" | I<sub>FSM</sub>
+| 30А
+|-
+| rowspan="3" | Non-repetitive peak forward surge current square waveform TA = 25 °C (fig. 3)
+| tp = 1 ms
+| rowspan="3" style="text-align:center;" | I<sub>FSM</sub>
+| 45А
+|-
+| tp = 2 ms
+| 35А
+|-
+| tp = 5 ms
+| 30А
+|-
+| colspan="2" | Maximum full load reverse current, full cycle average 0.375" (9.5 mm) lead length TL = 75 °C
+| style="text-align:center;" | I<sub>R(AV)</sub>
+| 30мкА
+|-
+| colspan="2" | Rating for fusing (t < 8.3 ms)<br>For device using on bridge rectifier application
+| style="text-align:center;" | I<sup>2</sup>t
+| 3.7А<sup>2</sup>с
+|-
+| colspan="2" | Rating for fusing (t < 10 ms)
+| style="text-align:center;" | I<sup>2</sup>t
+| 3.6А<sup>2</sup>с
+|-
+| colspan="2" | Operating junction and storage temperature range
+| style="text-align:center;" | T<sub>J</sub>, T<sub>STG</sub><br>T<sub>J</sub>, T<sub>S</sub>
+| -50 to +150 °C<br>-50 to +175 °C
+|}
+==Электрические характеристики==
+{| class="wikitable" style="margin:auto"
+|-
+! scope="col"| Параметр
+! scope="col"| Условия
+! scope="col"| Термин
+! scope="col"| Значение
+|-
+| Maximum instantaneous forward voltage
+| style="text-align:center;" | 1.0А
+| style="text-align:center;" | V<sub>F</sub>
+| 1.1В
+|-
+| rowspan="2" | Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage
+| style="text-align:center;" | T<sub>A</sub> = 25 °C
+| rowspan="2" style="text-align:center;" | I<sub>R</sub>
+| 5.0мкА
+|-
+| T<sub>A</sub> = 125 °C
+| 50мкА
+|-
+| Typical junction capacitance
+| 4.0 V, 1 MHz
+| style="text-align:center;" | C<sub>J</sub>
+| 15пФ
+|}
+==Тепловые характеристики==
+{| class="wikitable" style="margin:auto"
+|-
+! scope="col"| Параметр
+! scope="col"| Термин
+! scope="col"| Значение
+|-
+| rowspan="2" | Typical thermal resistance
+| style="text-align:center;" | R<sub>θJA</sub>
+| 50°C/Вт
+|-
+| style="text-align:center;" | R<sub>θJL</sub>
+| 25°C/Вт
+|}
+Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case:
+{| class="wikitable" style="margin:auto"
+|-
+! scope="col"| Параметр
+! scope="col"| Термин
+! scope="col"| Значение
+|-
+| rowspan="2" | Typical thermal resistance
+| style="text-align:center;" | R<sub>thA</sub>
+| 45К/Вт
+|-
+| style="text-align:center;" | R<sub>thL</sub>
+| 15К/Вт
+|}
+https://www.vishay.com/docs/88503/1n4001.pdf
+https://static.chipdip.ru/lib/778/DOC031778690.pdf
-[[Category:IusKit]]
+<blockquote>
+''Статья находится в процессе редактирования''
+</blockquote>