Перейти к содержанию

IusKit:Диод 1N4007: различия между версиями

IusKit:Диод 1N4007 (посмотреть исходный код)

Версия от 19:49, 23 мая 2024

8215 байт добавлено ,  23 май
Дополнение, описание таблиц, добавление документации
(Наполнение контентом)
(Дополнение, описание таблиц, добавление документации)
Строка 5: Строка 5:
[[Файл:IusKit_Сред_Рассыпуха_голая_1_r1.jpg|thumb|250px|right|Расположение на фото:<br>3 ряд, 5 столбец]]
[[Файл:IusKit_Сред_Рассыпуха_голая_1_r1.jpg|thumb|250px|right|Расположение на фото:<br>3 ряд, 5 столбец]]


Диод 1N4007 из линейки 1N400''x''. Кремниевый, выпрямительный общего применения.
Диод '''1N4007''' из линейки 1N400''x''. Кремниевый, выпрямительный общего применения.


В основном используется в выпрямителях напряжения, диодных мостах, блоках питания, защите от обратной полярности.
Типичное применение:
* Выпрямители напряжения
* Диодные мосты
* Блоки питания
* Защита от обратной полярности
 
==Документация==
 
* [[File:PDF icon.svg|frameless|14px]] [[Медиа:Diotec_1n400x.pdf|Datasheet_Diotec_1n400x.pdf]]
* [[File:PDF icon.svg|frameless|14px]] [[Медиа:Vishay_1n400x.pdf|Datasheet_Vishay_1n400x.pdf]]


==Спецификация==
==Спецификация==
Строка 28: Строка 37:


==Предельные электрические характеристики==
==Предельные электрические характеристики==
<blockquote>
Указаны при температуре 25 °C, если не указано иного.
</blockquote>


{| class="wikitable" style="margin:auto"
{| class="wikitable" style="margin:auto"
|-
|-
! scope="col" colspan="2"| Параметр
! scope="col" |
! scope="col"| Термин
! scope="col" colspan="2" | Параметр
! scope="col"| Значение
! scope="col" | Термин
! scope="col" | Значение
|-
|-
| style="text-align:right;" | 1
| colspan="2" | Maximum repetitive peak reverse voltage<br>''Максимальное повторяющееся импульсное обратное напряжение''
| colspan="2" | Maximum repetitive peak reverse voltage<br>''Максимальное повторяющееся импульсное обратное напряжение''
| style="text-align:center;" | V<sub>RPM</sub>
| style="text-align:center;" | V<sub>RPM</sub>
| 1000В
| 1000В
|-
|-
| colspan="2" | Maximum RMS voltage<br>''Максимальное (обратное) среднеквадратическое напряжение''
| style="text-align:right;" | 2
| colspan="2" | Maximum RMS voltage<br>''Максимальное среднеквадратическое напряжение''
| style="text-align:center;" | V<sub>RMS</sub>
| style="text-align:center;" | V<sub>RMS</sub>
| 700В
| 700В
|-
|-
| style="text-align:right;" | 3
| colspan="2" | Maximum DC blocking voltage<br>''Максимальное постоянное обратное напряжение''
| colspan="2" | Maximum DC blocking voltage<br>''Максимальное постоянное обратное напряжение''
| style="text-align:center;" | V<sub>DC</sub>
| style="text-align:center;" | V<sub>DC</sub>
| 1000В
| 1000В
|-
|-
| colspan="2" | Maximum average forward rectified current 0.375" (9.5 mm) lead length at TA = 75 °C
| rowspan="2" style="text-align:right;" | 4
| style="text-align:center;" | I<sub>F(AV)</sub>
| rowspan="2" | Maximum average forward rectified current<br>''Максимальный усреднённый прямой ток''
| T<sub>A</sub> = 75°C
| rowspan="2" style="text-align:center;" | I<sub>F(AV)</sub><br>или<br>I<sub>FAV</sub>
| 1.0А
| 1.0А
|-
|-
| colspan="2" | Max. average forward rectified current, R-load T<sub>A</sub> = 100 °C<br>Valid, if leads are kept at T<sub>A</sub> at 10 mm distance from case
| T<sub>A</sub> = 100°C
| style="text-align:center;" | I<sub>FAV</sub>
| 0.8А
| 0.8А
|-
|-
| colspan="2" | Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load
| style="text-align:right;" | 5
| style="text-align:center;" | I<sub>FSM</sub>
| Repetitive peak forward current<br>''Повторяющийся пиковый прямой ток''
| f > 15 Hz,<br>T<sub>A</sub> = 75°C
| style="text-align:center;" | I<sub>FRM</sub>
| 30А
| 30А
|-
|-
| rowspan="3" | Non-repetitive peak forward surge current square waveform TA = 25 °C (fig. 3)
| rowspan="5" style="text-align:right;" | 6
| tp = 1 ms
| rowspan="5" | Non-repetitive peak forward surge current square or half sine-wave waveform superimposed on rated load<br>''Одиночный пиковый скачок тока прямоугольной формы или формы половины синусоиды, поверх номинального тока''
| rowspan="3" style="text-align:center;" | I<sub>FSM</sub>
| t<sub>p</sub> = 1 ms<br>square
| rowspan="5" style="text-align:center;" | I<sub>FSM</sub>
| 45А
| 45А
|-
|-
| tp = 2 ms
| t<sub>p</sub> = 2 ms<br>square
| 35А
| 35А
|-
|-
| tp = 5 ms
| t<sub>p</sub> = 5 ms<br>square
| 30А
| 30А
|-
|-
| colspan="2" | Maximum full load reverse current, full cycle average 0.375" (9.5 mm) lead length TL = 75 °C
| t<sub>p</sub> = 8.3 ms<br>''60 Hz half sine-wave''
| 30А
|-
| t<sub>p</sub> = 10 ms<br>''50 Hz half sine-wave''
| 27А
|-
| style="text-align:right;" | 7
| Maximum full load reverse current<br>''Максимальный ток обратной утечки''
| T<sub>L</sub> = 75°C
| style="text-align:center;" | I<sub>R(AV)</sub>
| style="text-align:center;" | I<sub>R(AV)</sub>
| 30мкА
| 30мкА
|-
|-
| colspan="2" | Rating for fusing (t < 8.3 ms)<br>For device using on bridge rectifier application
| rowspan="2" style="text-align:right;" | 8
| style="text-align:center;" | I<sup>2</sup>t
| rowspan="2" | Rating for fusing<br>''Номинал сверхтока''
| t < 8.3 ms<br>''60 Hz half sine-wave''
| rowspan="2" style="text-align:center;" | I<sup>2</sup>t
| 3.7А<sup>2</sup>с
| 3.7А<sup>2</sup>с
|-
|-
| colspan="2" | Rating for fusing (t < 10 ms)
| t < 10 ms<br>''50 Hz half sine-wave''
| style="text-align:center;" | I<sup>2</sup>t
| 3.6А<sup>2</sup>с
| 3.6А<sup>2</sup>с
|-
|-
| colspan="2" | Operating junction and storage temperature range
| rowspan="2" style="text-align:right;" | 9
| style="text-align:center;" | T<sub>J</sub>, T<sub>STG</sub><br>T<sub>J</sub>, T<sub>S</sub>
| rowspan="2" | Operating junction and storage temperature range<br>''Пределы температуры хранения и температуры кристалла полупроводника''
| -50 to +150 °C<br>-50 to +175 °C
| colspan="2" style="text-align:center;" | ''Vishay:'' T<sub>J</sub>, T<sub>STG</sub>
| -50 to +150 °C
|-
| colspan="2" style="text-align:center;" | ''Diotec:'' T<sub>J</sub>, T<sub>S</sub>
| -50 to +175 °C
|}
|}
===Примечания к таблице===
# '''V<sub>RPM</sub>''' — наибольшее мгновенное значение напряжения, которое допускается прикладывать к диоду в обратном направлении, включая все повторяющиеся напряжения.
# '''V<sub>RMS</sub>''' — наибольшее длительное среднеквадратичное значение ''(RMS)'' напряжения переменного тока ''(V<sub>AC </sub>)'', приложенное к диоду в обратном направлении.
# '''V<sub>DC</sub>''' — наибольшее длительное напряжение постоянного тока ''(V<sub>DC </sub>)'', приложенное к диоду в обратном направлении.
# '''I<sub>F(AV)</sub>''' или '''I<sub>FAV</sub>''' — максимально допустимый прямой ток, усреднённо протекающий за длительный период времени.<p style="margin: 0 0 0 2rem; color:gray;">''Примечание: указывается при температуре корпуса/окружающей среды T<sub>A</sub> и при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления''</p>
# '''I<sub>FRM</sub>''' — значение предельно допустимых скачков прямого тока, повторяющихся при определённой частоте<p style="margin: 0 0 0 2rem; color:gray;">''Примечание: указывается при температуре корпуса/окружающей среды T<sub>A</sub> и при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления''</p>
# '''I<sub>FSM</sub>''' — максимальное значение скачка прямого пикового тока поверх номинального тока, при указанной длине импульса прямоугольной или полу-синусообразной формы
# '''I<sub>R(AV)</sub>''' — максимальный ток обратной утечки pn-перехода, средний за весь период ''(full cycle average)''<p style="margin: 0 0 0 2rem; color:gray;">''Примечание: указывается при температуре выводов T<sub>L</sub> и при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления''</p>
# '''I<sup>2</sup>t''' — скорость нарастания тока ''(Joule-integral)'' (сверхтока), допустимая до физического разрушения компонента. Сверхток определяется за один период полуволны. Указывается для применения в выпрямителях и мостах.
# '''T<sub>S</sub>''' или '''T<sub>STG</sub>''' — температура хранения ''(STG — Storage)''<br>'''T<sub>J</sub>''' — температура кристалла полупроводника<p style="margin: 0 0 0 2rem; color:gray;">''Примечание: превышение данных диапазонов чаще всего приводит к физическому разрушению кристалла полупроводника''</p>


==Электрические характеристики==
==Электрические характеристики==
<blockquote>
Указаны при температуре 25 °C, если не указано иного.
</blockquote>


{| class="wikitable" style="margin:auto"
{| class="wikitable" style="margin:auto"
|-
|-
! scope="col"|
! scope="col"| Параметр
! scope="col"| Параметр
! scope="col"| Условия
! scope="col"| Условие
! scope="col"| Термин
! scope="col"| Термин
! scope="col"| Значение
! scope="col"| Значение
|-
|-
| Maximum instantaneous forward voltage
| style="text-align:right;" | 1
| Maximum instantaneous forward voltage<br>''Максимальное падение напряжения''
| style="text-align:center;" | 1.0А
| style="text-align:center;" | 1.0А
| style="text-align:center;" | V<sub>F</sub>
| style="text-align:center;" | V<sub>F</sub>
| 1.1В
| 1.1В
|-
|-
| rowspan="2" | Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage
| rowspan="2" style="text-align:right;" | 2
| rowspan="2" | Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage<br>''Максимальный ток утечки при максимальном обратном напряжении''
| style="text-align:center;" | T<sub>A</sub> = 25 °C
| style="text-align:center;" | T<sub>A</sub> = 25 °C
| rowspan="2" style="text-align:center;" | I<sub>R</sub>
| rowspan="2" style="text-align:center;" | I<sub>R</sub>
| 5.0мкА
| 5.0мкА
|-
|-
| T<sub>A</sub> = 125 °C
| style="text-align:center;" | T<sub>A</sub> = 125 °C
| 50мкА
| 50мкА
|-
|-
| Typical junction capacitance
| style="text-align:right;" | 3
| 4.0 V, 1 MHz
| Typical junction capacitance<br>''Типичная ёмкость перехода''
| style="text-align:center;" | 4.0 V,<br>1 MHz
| style="text-align:center;" | C<sub>J</sub>
| style="text-align:center;" | C<sub>J</sub>
| 15пФ
| 15пФ
|}
|}
===Примечания к таблице===
# '''V<sub>F</sub>''' — Максимальное падение напряжения на pn-переходе. [https://forum.allaboutcircuits.com/threads/instantaneous-forward-voltage.6314/ More info]<p style="margin: 0 0 0 2rem; color:gray;">''Влияет на нагрев, так как всё падение напряжения уходит в тепловые потери''</p>
# '''I<sub>R</sub>''' — Максимальный постоянный ток ''(I<sub>DC </sub>)'' обратной утечки pn-перехода, при максимальном постоянно обратном напряжении ''(V<sub>DC </sub>)''
# '''C<sub>J</sub>''' — Типичная ёмкость pn-перехода<p style="margin: 0 0 0 2rem; color:gray;">''Влияет на максимальную частоту, которую может пропустить диод. [https://studfile.net/preview/16468927/ More info]''</p>


==Тепловые характеристики==
==Тепловые характеристики==
<blockquote>
''Справедливо при нахождении корпуса диода на расстоянии минимум 10 мм от точки пайки/крепления'
</blockquote>


{| class="wikitable" style="margin:auto"
{| class="wikitable" style="margin:auto"
|+ По данным Vishay
|-
|-
! scope="col"| Параметр
! scope="col"| Параметр
Строка 123: Строка 188:
! scope="col"| Значение
! scope="col"| Значение
|-
|-
| rowspan="2" | Typical thermal resistance
| rowspan="2" | Typical thermal resistance<br>''Типичное термическое сопротивление''
| style="text-align:center;" | R<sub>θJA</sub>
| style="text-align:center;" | R<sub>θJA</sub>
| 50°C/Вт
| 50°C/Вт
Строка 130: Строка 195:
| 25°C/Вт
| 25°C/Вт
|}
|}
 
<br>
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case:
 
{| class="wikitable" style="margin:auto"
{| class="wikitable" style="margin:auto"
|+ По данным Diotec
|-
|-
! scope="col"| Параметр
! scope="col"| Параметр
Строка 139: Строка 203:
! scope="col"| Значение
! scope="col"| Значение
|-
|-
| rowspan="2" | Typical thermal resistance
| rowspan="2" | Typical thermal resistance<br>''Типичное термическое сопротивление''
| style="text-align:center;" | R<sub>thA</sub>
| style="text-align:center;" | R<sub>thA</sub>
| 45К/Вт
| 45К/Вт
Строка 147: Строка 211:
|}
|}


https://www.vishay.com/docs/88503/1n4001.pdf
===Примечания к таблице===
https://static.chipdip.ru/lib/778/DOC031778690.pdf
# '''R<sub>θJA</sub>''' или '''R<sub>thA</sub>''' — Типичное термическое сопротивление корпуса к окружающей среде
# '''R<sub>θJL</sub>''' или '''R<sub>thL</sub>''' — Типичное термическое сопротивление выводов к окружающей среде


Выдержка из [[wikipedia:ru:Термическое_сопротивление|оригинальной статьи]]:
<blockquote>
<blockquote>
''Статья находится в процессе редактирования''
'''Термическое сопротивление''' — тепловое сопротивление, способность тела (его поверхности или какого-либо слоя) препятствовать распространению теплового движения молекул.
</blockquote>
</blockquote>
Термическое/тепловое сопротивление определяет падение температуры на пути прохождения теплового потока.
Значение теплового сопротивления — разность температур горячей и холодной поверхности теплопроводящего материала к проходящему по нему тепловому потоку.
Применительно к электронике, тепловое сопротивление по своей сути является величиной, показывающей '''нагрев компонента в зависимости от выделяемой им мощности'''.
Источник — https://crazygeeks.info/wiki/Служебная:Сравнение_версий/130