147
правок
IusKit:Диод 1N4007: различия между версиями
Наполнение контентом
Dm sem (обсуждение | вклад) (Добавление категории) |
Dm sem (обсуждение | вклад) (Наполнение контентом) |
||
| Строка 1: | Строка 1: | ||
Диод 1N4007 | [[Category:IusKit]] | ||
[[File:DO-41_(shaded).svg|thumb|250px|right|Схематичное изображение корпуса DO-41]] | |||
[[Файл:IusKit_Сред_Рассыпуха_голая_1_r1.jpg|thumb|250px|right|Расположение на фото:<br>3 ряд, 5 столбец]] | |||
Диод 1N4007 из линейки 1N400''x''. Кремниевый, выпрямительный общего применения. | |||
В основном используется в выпрямителях напряжения, диодных мостах, блоках питания, защите от обратной полярности. | |||
==Спецификация== | |||
{| class="wikitable" style="margin:auto" | |||
! Параметр !! Значение | |||
|- | |||
| Семейство || 1N400''x'' | |||
|- | |||
| Модель || 1N4007 | |||
|- | |||
| Корпус || DO-41 ([[Wikipedia:DO-204|DO-204AL]]) | |||
|- | |||
| Материал полупроводника || Кремний | |||
|- | |||
| Материал корпуса || Пластик/Эпоксидная смола<br>''По разным данным''<br>Безопасность воспламенения по [[Wikipedia:UL_94|UL 94V-0]] | |||
|- | |||
| Материал выводов || Лужёная медь | |||
|} | |||
==Предельные электрические характеристики== | |||
{| class="wikitable" style="margin:auto" | |||
|- | |||
! scope="col" colspan="2"| Параметр | |||
! scope="col"| Термин | |||
! scope="col"| Значение | |||
|- | |||
| colspan="2" | Maximum repetitive peak reverse voltage<br>''Максимальное повторяющееся импульсное обратное напряжение'' | |||
| style="text-align:center;" | V<sub>RPM</sub> | |||
| 1000В | |||
|- | |||
| colspan="2" | Maximum RMS voltage<br>''Максимальное (обратное) среднеквадратическое напряжение'' | |||
| style="text-align:center;" | V<sub>RMS</sub> | |||
| 700В | |||
|- | |||
| colspan="2" | Maximum DC blocking voltage<br>''Максимальное постоянное обратное напряжение'' | |||
| style="text-align:center;" | V<sub>DC</sub> | |||
| 1000В | |||
|- | |||
| colspan="2" | Maximum average forward rectified current 0.375" (9.5 mm) lead length at TA = 75 °C | |||
| style="text-align:center;" | I<sub>F(AV)</sub> | |||
| 1.0А | |||
|- | |||
| colspan="2" | Max. average forward rectified current, R-load T<sub>A</sub> = 100 °C<br>Valid, if leads are kept at T<sub>A</sub> at 10 mm distance from case | |||
| style="text-align:center;" | I<sub>FAV</sub> | |||
| 0.8А | |||
|- | |||
| colspan="2" | Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load | |||
| style="text-align:center;" | I<sub>FSM</sub> | |||
| 30А | |||
|- | |||
| rowspan="3" | Non-repetitive peak forward surge current square waveform TA = 25 °C (fig. 3) | |||
| tp = 1 ms | |||
| rowspan="3" style="text-align:center;" | I<sub>FSM</sub> | |||
| 45А | |||
|- | |||
| tp = 2 ms | |||
| 35А | |||
|- | |||
| tp = 5 ms | |||
| 30А | |||
|- | |||
| colspan="2" | Maximum full load reverse current, full cycle average 0.375" (9.5 mm) lead length TL = 75 °C | |||
| style="text-align:center;" | I<sub>R(AV)</sub> | |||
| 30мкА | |||
|- | |||
| colspan="2" | Rating for fusing (t < 8.3 ms)<br>For device using on bridge rectifier application | |||
| style="text-align:center;" | I<sup>2</sup>t | |||
| 3.7А<sup>2</sup>с | |||
|- | |||
| colspan="2" | Rating for fusing (t < 10 ms) | |||
| style="text-align:center;" | I<sup>2</sup>t | |||
| 3.6А<sup>2</sup>с | |||
|- | |||
| colspan="2" | Operating junction and storage temperature range | |||
| style="text-align:center;" | T<sub>J</sub>, T<sub>STG</sub><br>T<sub>J</sub>, T<sub>S</sub> | |||
| -50 to +150 °C<br>-50 to +175 °C | |||
|} | |||
==Электрические характеристики== | |||
{| class="wikitable" style="margin:auto" | |||
|- | |||
! scope="col"| Параметр | |||
! scope="col"| Условия | |||
! scope="col"| Термин | |||
! scope="col"| Значение | |||
|- | |||
| Maximum instantaneous forward voltage | |||
| style="text-align:center;" | 1.0А | |||
| style="text-align:center;" | V<sub>F</sub> | |||
| 1.1В | |||
|- | |||
| rowspan="2" | Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage | |||
| style="text-align:center;" | T<sub>A</sub> = 25 °C | |||
| rowspan="2" style="text-align:center;" | I<sub>R</sub> | |||
| 5.0мкА | |||
|- | |||
| T<sub>A</sub> = 125 °C | |||
| 50мкА | |||
|- | |||
| Typical junction capacitance | |||
| 4.0 V, 1 MHz | |||
| style="text-align:center;" | C<sub>J</sub> | |||
| 15пФ | |||
|} | |||
==Тепловые характеристики== | |||
{| class="wikitable" style="margin:auto" | |||
|- | |||
! scope="col"| Параметр | |||
! scope="col"| Термин | |||
! scope="col"| Значение | |||
|- | |||
| rowspan="2" | Typical thermal resistance | |||
| style="text-align:center;" | R<sub>θJA</sub> | |||
| 50°C/Вт | |||
|- | |||
| style="text-align:center;" | R<sub>θJL</sub> | |||
| 25°C/Вт | |||
|} | |||
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case: | |||
{| class="wikitable" style="margin:auto" | |||
|- | |||
! scope="col"| Параметр | |||
! scope="col"| Термин | |||
! scope="col"| Значение | |||
|- | |||
| rowspan="2" | Typical thermal resistance | |||
| style="text-align:center;" | R<sub>thA</sub> | |||
| 45К/Вт | |||
|- | |||
| style="text-align:center;" | R<sub>thL</sub> | |||
| 15К/Вт | |||
|} | |||
https://www.vishay.com/docs/88503/1n4001.pdf | |||
https://static.chipdip.ru/lib/778/DOC031778690.pdf | |||
<blockquote> | |||
''Статья находится в процессе редактирования'' | |||
</blockquote> | |||